有关晶振的难题？？？？？？？

发表于 2008-11-8 16:22

请问一个单片机的外部接的晶振与她匹配的电容值怎么计算？？？多大为宜啊比容8M 的用20P 22P 33P 都感觉不到有什么影响啊其中有什么不同呢

发表于 2008-11-8 16:44

发表于 2008-11-8 20:21

而振荡电路的参数，厂家通常不会给出的，所以没有通用的计算方法。

发表于 2008-11-9 12:29

振荡电容可以按晶体的估算，一般晶体要求是16P的负载电容，22P的属于比较经典的数据。

这个问题要考虑的问题非常多，包括晶体工作模式、特性、频率牵引、电路板寄生参数、温度系数、频率稳定度、激励功率、休眠唤醒的可靠性，实在太多。

楼主有兴趣就去详细研究晶体理论，要花很多时间。

不想研究我就直接给你一个数据：晶体频率牵引度大约是20ppm/pF，就算你偏了100ppm，也才1E-4量级，所以你感觉不到差异，一般搞单片机的也很少有研究到这么深层次的。

你接个22P的上去好了。

发表于 2008-11-11 23:19

发表于 2008-11-13 10:05

谢谢各位的帮助

有关晶振的难题？？？？？？？

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匹配电容的值和晶体参数及振荡电路的参数都有关

这个问题非常深……

3楼，不用振荡参数，一般厂家会直接给负载电容吧

谢谢各位的帮助

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