高手帮我看看，这个NMOS老烧，什么情况造成的？

只看该作者 · 2013-2-4 21:47

PMOS/NMOS集成IC，我只用了N部分，搭了电路老是烧IC。
请问
驱动电路对吗？器件参数对吗？

感谢

只看该作者 · 2013-2-4 22:28

要不您在回路中串个电阻

只看该作者 · 2013-2-4 22:30

而且L1在瞬间MOS关断的情况下会不会产生高压？

1万 · 2013-2-4 23:41

二极管续流测试看看
电感用电阻代替（比如12V灯）测试，对比，找差别

只看该作者 · 2013-2-4 23:56

12V/10R=1.2A 你芯片是否能承受1.2A的大电流？

1万 · 2013-2-5 00:08

加限流电阻看看

只看该作者 · 2013-2-5 01:50

关断电路呢

只看该作者 · 2013-2-5 08:28

方波的频率是多少？想用这个电路实现什么功能？

只看该作者 · 2013-2-5 09:21

SP8M3参数如下：
VGSMAX=20V
VDSMAX=30V
ID=5A
内部集成续流二极管。
如果你想知道损坏的原因，你可以测量MOSFET器件。如果GDS三者短路，则可能是过压损坏，考虑电感参数，开关斜率。如果是DS短路或开路，则考虑过流损坏。同样需要考虑电感参数及带载情况。

只看该作者 · 2013-2-5 09:34

在L1端加个续流二极管试试

只看该作者 · 2013-2-5 10:28

这种接法不烧才怪

只看该作者 · 2013-2-5 10:35

没有限流能行吗？加个限流电阻试试吧。

只看该作者 · 2013-2-5 10:37

garin223 发表于 2013-2-5 09:21
SP8M3参数如下：
VGSMAX=20V
VDSMAX=30V

内部的是寄生二极管吧。续流二极管是要并在电感上的。

只看该作者 · 2013-2-5 10:48

并联谐振时阻抗无穷大，但不谐振时阻抗急剧下降。
L1和C4的谐振频率是1.13MHz
你用300K的方波驱动，远离了谐振频率。
所以相当于MOS管驱动了个阻抗很小的负载，电流就很大了，所以MOS管烧了。你可以仿真一下电流有多大。

只看该作者 · 2013-2-5 10:54

似乎你的12V回路中负载就是那个L1，100uH的电感，往往直流电阻是很小的，不到1欧姆，所以除非你MOS管上驱动频率高，否则要么烧MOS管，要么烧L1，谁先扛不住谁先烧，但烧是必然的。不知你这个电路要做什么。

只看该作者 · 2013-2-5 11:03

1.这会构成升压电路的吧，你算算看，估计你的漏极峰值电压远超过场效应管的工作电压了。

只看该作者 · 2013-2-5 11:23

对头限流电阻试试！

只看该作者 · 2013-2-5 11:55

MOS管的电流ID=5A，但导通电阻多大，几欧姆的话，也有可能过流损坏；
没加续流二极管也敢用，使用RC阻容吸收L1上能量也可以，但是你用的200P电容太小了，起不到作用；
使用快恢复的肖特基二极管或用百欧的电阻和1uF左右的电容做RC吸收也可以，因为1000uH的电感很大了，关断和打开所产生的反电势很强。

只看该作者 · 2013-2-5 11:56

奥，是100uH,打错了。

只看该作者 · 2013-2-5 12:02

sechan说的对，不知道P1接头后面接的是什么，仅从这图上看，当MOS导通时，12V经L1-MOS-GND构成通路，流过L1的电流增加，L1储能，假如开通的时间是Ton，则电流Ipk=Vin*Ton/L,储能P=1/2*L*Ipk*Ipi,当MOS关断时，L1储能释放，对MOS的D-S寄生电容充电，充电能量为P=1/2*C*V*V,因为寄生电容很小，所以D-S电压会很高，足以击穿MOS。

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