两级开关三极管求指导。

只看该作者 · 2013-2-5 10:18

本帖最后由 luochangqing112 于 2013-2-5 13:42 编辑

如图，输入信号为40Khz，5V 的直流脉冲，想控制Q1的通断，当输入为高电平的时候，Q1导通，输入为低电平的时候Q1截止。因为R1为24欧姆，Q1，2sc2383.Ic为1A,担心芯片端口驱动能力不够，所以在后面加了一级Q2，求各位大神看看这样合不合理，还有Q2的基极和发射极有没有必要加一个下拉电阻？

2万 · 2013-2-5 11:29

1、末级输出1A，电流比较大，应该需要二个三极管。
2、高低电平的宽度是12.5微妙，1A下，注意饱和导通的恢复时间，测一下波形。
3、R4耗电会比较大
4、如果驱动输入低电平是0V，下拉电阻可以不要。
5、最好用MOS管驱动，速度会好一些，功耗会低一些。

只看该作者 · 2013-2-5 11:45

gx_huang 发表于 2013-2-5 11:29
1、末级输出1A，电流比较大，应该需要二个三极管。
2、高低电平的宽度是12.5微妙，1A下，注意饱和导通的恢 ...

谢谢，1、驱动输入低电平是0v,考虑加下拉电阻式因为怕芯片上电的瞬间端口不稳定，可能会导致Q2误导通。
2、末极输出1A，应该需要二个三极管，再加一个是与Q1并联吗？

只看该作者 · 2013-2-5 12:15

学习啦，感谢各位讲解！@

只看该作者 · 2013-2-5 12:28

1，只要一级就够了。因为IB的驱动电流很小。
2，设计时，由于你的开关频率在40khz，那么你的饱和深度要控制好，否则的话，从导通到关断延迟时间会很长。如果想获得更快的频率设计，你可以在R2上并接加速电容，亦或调整三极管饱和深度。
3，由于你R1限流电阻为240ohm，因此流过三极管最大电流为100mA.三极管可以胜任的。一般电流控制在70%Ic（三极管最大集电极电流）。

只看该作者 · 2013-2-5 13:26

garin223 发表于 2013-2-5 12:28
1，只要一级就够了。因为IB的驱动电流很小。
2，设计时，由于你的开关频率在40khz，那么你的饱和深度要控制 ...

谢谢，1、可能是我的图不是很清晰，R1的阻值为24欧姆，我电流1A左右。
2、一级是不够的，我现在直接用IO端口驱动，基极限流电阻为200欧姆时，Q1很烫，估计是工作在放大状态，换成39欧姆的电阻后，就不烫了，但是芯片端口电压由原来的5vl拉到2点几伏了。
3、如果速度不行的话，基极限流电阻并加速电容，一般取多大的值合适？

1万 · 2013-2-5 13:31

由于Q1集电极负载电阻R1为240ohm，流过Q1三极管集电极最大电流为100mA，2SC2353的Hfe不会小于60，因此,有Q1足够了。加Q2绝对是浪费。

只看该作者 · 2013-2-5 13:50

本帖最后由 garin223 于 2013-2-6 08:56 编辑

luochangqing112 发表于 2013-2-5 13:26
谢谢，1、可能是我的图不是很清晰，R1的阻值为24欧姆，我电流1A左右。
2、一级是不够的，我现在直接用IO ...

1，如果R1=24OHM的话，那么电流达到1A，而2SC2383电流最大为1A。因此你需要两个三极管并联扩流。
2，基极的限流电阻不能取的太小，否则单片机带不动。你用39欧，电流达到400mA了，单片机不可能输出那么大的电流，因此电源就被你拉低了。你可以将IC=1A,IB=20mA,这样的话，可以使得三极管进入饱和状态。要输出20mA的电流，可能需要一个三极管作为电流放大用。

2万 · 2013-2-5 14:34

上图无法关死，有比较大的漏电流。

只看该作者 · 2013-2-5 15:17

gx_huang 发表于 2013-2-5 14:34
上图无法关死，有比较大的漏电流。

为什么，请详细解释。:'(

2万 · 2013-2-5 16:54

MCU输出0V，T2发射极算0.7V，T1/T3会导通的。
而且，一上电，T1/T3默认可能就导通，也不好。

1万 · 2013-2-5 17:48

这个很好。

只看该作者 · 2013-2-5 20:34

xmar 发表于 2013-2-5 17:48
这个很好。

达林顿管放大倍数确实很大，不过饱和导通压降高到2-3v,功耗很大，发热应该也很严重。

只看该作者 · 2013-2-5 21:36

最好用 MOSFET来驱动！

只看该作者 · 2013-2-6 08:58

jwwhy 发表于 2013-2-5 21:36
最好用 MOSFET来驱动！

MOSFET导通电阻也很大的，不如用IGBT。

只看该作者 · 2013-2-6 09:10

garin223 发表于 2013-2-6 08:58
MOSFET导通电阻也很大的，不如用IGBT。

1A电流用IGBT有点夸张了，MOS足够了，选个导通阻抗小点的

只看该作者 · 2013-2-6 09:20

qqmm321 发表于 2013-2-6 09:10
1A电流用IGBT有点夸张了，MOS足够了，选个导通阻抗小点的

嗯，母线电压较低的情况下，可以选择MOSFET。

只看该作者 · 2013-2-6 10:36

学习了

只看该作者 · 2013-2-6 11:02

本帖最后由 leehk88 于 2013-2-6 11:09 编辑

garin223 发表于 2013-2-5 13:50
1，如果R1=24OHM的话，那么电流达到1A，而2SC2383电流最大为1A。因此你需要两个三极管并联扩流。
2，基极 ...

樓主要求 : 当输入为高电平的时候，Q1导通，输入为低电平的时候Q1截止。
這綫路反相了:P

1万 · 2013-2-6 11:49

luochangqing112 发表于 2013-2-5 20:34
达林顿管放大倍数确实很大，不过饱和导通压降高到2-3v,功耗很大，发热应该也很严重。 ...

"... 饱和导通压降高到2-3v. ..." 何来此言？电工不妄语。

两级开关三极管求指导。

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