用单片机的管脚驱动三极管发生的问题啊？？

发表于 2009-7-20 15:38

我用P3.6口去驱动一个三极管，我的接法很简单，就是P3.6口出来接一个4.7K的电阻，跟着接一个三极管，型号是MMBT4401，在三极管BE极并接一个10K电阻，E极直接接地，如图所示。当我给P3.6一个高电平时不但驱动不了三极管，反而把P3.6拉低了，电平先约为0.9V.这是不是驱动不了而嵌位呢，具体分析原理是怎样呢，谁能指教小弟一下。当我把那个4.7K的电阻直接去掉时，即将P3.6悬空，P3.6还是高电平，一接通就拉低了。谢谢

发表于 2009-7-20 18:05

8051的话去掉R23,R22取小一点或直接短路就行了.P3.6设置为高电平的话,电压不会为VCC.这是8051 I/O口的结构决定的,原因可以自己看一下8051 内部 I/O电路,自己想一下.但是电路应该可以正常工作.

发表于 2009-7-20 19:26

电路应该没什么问题啊，R23的影响不是很大，你看看是不是R23的电阻选错了，或者烧掉而短路了，你在检查看看，再不行把R23去掉对电路的影响也不是很大。

发表于 2009-7-20 21:13

先直接去掉R23再说

发表于 2009-7-20 21:57

发表于 2009-7-21 15:29

四年下来用三极管搭个开关来用都搞不定，所以我就只好从不用那玩意

发表于 2009-7-21 16:45

发表于 2009-7-21 17:11

　　高电平驱动能力差（uA级），低电平驱动能力强（mA级）。LZ恰恰用的是传统51差的地方，这是LZ平时不注意这些细节的结果。

　　其实，只要LZ去掉对地电阻，NPN三极管改为像BSS138之类的N-MOSFET，就可以稳定驱动了（此时可以把串联电阻换成100欧姆左右）。双极型三极管是电流驱动，可上面我说了，这正是传统51差的地方；而MOSFET是电压驱动，则很适合这种情况。

　　另一方面，LZ的电路应该考虑了上电时光耦的状态。如果上电时不想让光耦导通，则建议还是改为PNP驱动。如果光耦控制端的电流能控制在2mA以内，可以直接用MCU的IO驱动，前提是光耦的控制端上拉到VCC，串联电阻后用低电平控制。

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