克隆芯片（抄芯片）设计流程
◆ 腐蚀
－塑料封装外壳的腐蚀，可看到第一层金属层
一般采用98%的硫酸加热蒸煮
－金属铝层的腐蚀，可看到多晶和有源区
采用热磷酸
－有多层金属时，去除一层金属后需要用氢氟酸去二氧化硅
－去多晶硅，染色看显现 P阱和N阱
－其它细节处理，纵向结构解剖（SEM扫描电镜/TEM透射电镜或掺杂浓度曲线测试，一般需要IC解剖不作，都是标准工艺，分立器件一般需要做）
◆ 照相拼图
－每腐蚀一层，分区域照相
－每一层金属拼合图，每一层多晶拼合图，有源区拼合图
－把拼合图处理成软件可识别的图像文件
◆ 提取、整理电路
－数字电路需要归并同类图形，例如与非门、或非门、触发器等，同样的图形不要分析多次
－提出的电路用电路绘制软件绘出，按照易于理解的电路布置，使其他人员也能看出你提取电路的功能
－提取电路的速度完全由提图人员经验水平确定
－各组件连接起来，如果不整理电路是看不出各模块的连接及功能的
◆ 分析电路
－提取出的电路整理成电路图，并输入几何参数（MOS为宽长比）
－通过你的分析，电路功能明确，电路连接无误
◆ 仿真验证，电路调整
－对电路进行功能仿真验证
－模拟电路一般采用Hspice、Cadence等工具，小规模数字电路采用Cadence,Hsim等工具
－根据新的工艺调整电路
－调整后进行验证
◆ 版图绘制验证及后仿真
－根据新的工艺文件绘制版图
－版图DRC、LVS，寄生参数提取（Dracula,Assura,Calibre等工具）
－提取的网表作仿真验证，并与前仿结果对比
－版图导出GDS文件，Tape out
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