当电擦除E2ROM和FLUSHROM出现后传统的利用外加备用电池和利用自代电池RAM来保护掉电现场的传统方案已经很少采用了，一个用二极管隔离在来电时单向充满电荷到5V的2200UF电解电容，当电压因为停电跌落到4。5V时的持续时间可以达到2200*10（-6）*0。5/（10*10（-3）=110MS 这里设单片机运行电流为10MA
这个时间就是写FLUSH ROM都能写50个字节（算2MS写一个字节），下面的电路是掉电检测电路，这里没用LM393等作电压比较判断掉电是因为9014简单，而且平时几乎不用电。
12V是外部市电提供的低压整流电源，5V是12V稳压后经二极管单向充电并积蓄在电解电容上的单片机电源，建议用7806+1N4148=6-0。6=5。4V 或者用7805+1N5819=5-0。2=4。8V，我们的目标是检察12V的有无来判断市电是否在线。有市电时，P3。2是高电平！电路基本耗电大约1MA，当市电掉电时P3。2下拉产生最高优先级的掉电中断，其耗电小于0。5MA。电路请大家自行分析，建议在中断0中写入现场保护数据到EEROM。这里要说明的是51单片机口线用于检测甚至输出控制要想可靠，最好是用低电平有效。而且凡是要执行大电流驱动的甚至启动本身是危险的地方都应以低电平有效 1。防止上电就运行 2。低电平驱动能力强 3。低电平是低内阻，抗干扰能力强！ |
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