去耦电容和旁路电容

只看该作者 · 2013-3-13 10:37

各位，小女子一直有个疑惑，MCU前面的电容到底是叫旁路电容还是去耦电容，我从MCU的资料上看见的都是去耦电容，可是从电容定义上：旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。我觉得MCU前面的电容应该是把输入电压带进来的高频滤除的，这和去耦电容的定义是矛盾的，到底怎么分析啊，我想不通，麻烦请高人帮我解答一下，谢谢哈！

1万 · 2013-3-13 10:49

如果是滤除高频杂波，还是叫滤波电容为好。旁路，退偶都不太合适

2万 · 2013-3-13 10:53

re LZ：

所谓“旁路”和“去耦”其实都是利用了电容在高频下具备低电抗的特性（若考虑ESL，则是其谐振点）。

“旁路”多用于“外”对“内”的影响，如BJT发射极电阻的旁路电容，其作用是减小发射极电流的高频成分对发射极电位的影响（共射）。

“去耦”多用于“内”对“外”的影响，如数字IC的电源引脚附近对地所并的去耦电容，其作用就是减小因数字IC状态变化而对电源的影响。

2万 · 2013-3-13 10:58

“旁路”和“去耦”只是电容在不同场合下使用的别称而已，利用的都是其电容特性。

只看该作者 · 2013-3-13 11:21

HWM 发表于 2013-3-13 10:53
re LZ：

所谓“旁路”和“去耦”其实都是利用了电容在高频下具备低电抗的特性（若考虑ESL，则是其谐振点） ...

多谢大侠指点，对于您说的去耦电容我明白了，但是旁路电容我还是有点模糊，BJT发射极电流的高频成分是自己产生的，怎么变成了外了？电位也是自己从集电极产生的，这是您说的内吧？

2万 · 2013-3-13 11:37

shimyxia 发表于 2013-3-13 11:21
多谢大侠指点，对于您说的去耦电容我明白了，但是旁路电容我还是有点模糊，BJT发射极电流的高频成分是自 ...

带发射极电阻的共射BJT放大器中发射极旁路电容是并在发射极电阻上的，它所去除的交流成分由电阻外发射极电流所致，而非发射极电阻自身所产生，故称“外”对“内”。

只看该作者 · 2013-3-13 18:28

旁路电容应该是针对电源来说的，而去藕电容是ＩＣ等局部供电只用。
旁路电容可以将小稳压电源的负载扰动调节，但对于输入干扰有可能会振荡。
所以旁路电容和去藕电容主要就是给低频电源电压的波动提供一个缓冲，可以保证低频时电压变化很小，而对于高频干扰则将其短路，而不至于作用到负载上。

1万 · 2013-3-14 08:43

窈窕淑女君子好逑

旁路电容——原指：为消除直流偏置电阻对交流信号的阻碍，而并联其上的电容（通常到地），以期提供给信号一条另外通路
      ——它起源于50多年以前的放大器件——电子管，其工作电路必须由阴极电阻提供“自生偏压”来获得合适静态工作点
         然而这个电阻却阻碍了交流信号正常传递。这就诞生了“旁路电容器”
      ——后来的晶体管电路，无独有偶，往往也有一个射极电阻来稳定工作点。同样地，在需要时也在电阻上并有旁路电容
         共基电路的基极也会有一个电容到地，也算旁路
      ——电子技术发展至今，“旁路”概念亦可有所扩展，但不要牵强
去耦电容——原指：并联于电源两端的电容，为降低放大电路输出信号电流在供电电源等效内阻上的压降
         以期消除由于这个电压降无可避免地会耦合至输入端，所产生的有害反馈效应
      ——实际中，不仅是模拟放大电路，也不仅是防止反馈，也都需要视信号特征和特性要求，规范性地设置退耦电容
滤波电容——不得不说说这个了
      ——大体有两种：一是指电源滤波，电容紧跟整流之后，意在滤除电源波纹
                     二是在信号传递过程，用于滤除尖峰，杂波，带外等无效信号
      ——有时候，不加区分地也将退偶一并称为滤波
这些电容器的电路特点是通常一端接地