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什么是:“晶体管开关时的过冲特性”?

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Wxy8030|  楼主 | 2013-3-13 11:14 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
看到一个酷帖子:对里面“六、开关器件是否需要避免晶体管开关时的过冲特性;”不太理解,这句话适用于电路中的哪些典型的情况以及这种情况下如何改善,请有经验的兄弟指点一下?

以下是帖子原文:
这是牛人总结的硬件设计十大要点,分享给大家了 ,大家可以发表自己的意见的啊。。。
一、电源是系统的血脉,要舍得成本,这对产品的稳定性和通过各种认证是非常有好处的。
1.尽量采用∏型滤波,增加10uH电感,每个芯片电源管脚要接104旁路电容;
2.采用压敏电阻或瞬态二极管,抑制浪涌;
3.模电和数电地分开,大电流和小电流地回路分开,采用磁珠或零欧电阻隔开;
4.设计要留有余量,避免电源芯片过热,攻耗达到额定值的50%要用散热片。
二、输入IO记得要上拉;
三、输出IO记得核算驱动能力;
四、高速IO,布线过长采用33殴电阻抑制反射;
五、各芯片之间电平匹配;
六、开关器件是否需要避免晶体管开关时的过冲特性;
七、单板有可测试电路,能独立完成功能测试;
八、要有重要信号测试点和接地点;
九、版本标识;
十、状态指示灯。
如果每次的原理图设计,都能仔细的核对上面十点,将会提高产品设计的成功率,减少更改次数,缩短设计周期。

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沙发
HWM| | 2013-3-13 11:49 | 只看该作者
所谓“过冲”提法过于笼统,其也未必仅是晶体管自身开关所致,这需结合整个电路分析。基本就是失配或欠阻尼还有未充分考虑续流等的结果。

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板凳
阳光下的泡馍| | 2016-1-25 14:23 | 只看该作者
图中貌似就是MOS管过冲吧,现在有什么看法呢?

llc10.jpg (29.55 KB )

llc10.jpg

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