Flash 读写的初级问题

发表于 2013-3-20 16:00

S3c44b的板子。对k9f2808读写。程序定义：
#define NAND_DAT 0x08000000
#define NAND_ALE 0x08000004
#define NAND_CLE 0x08000002
有如下几个问题想不明白：
1.数据、地址和命令都从8位的IO传递，是不是ARM的数据口地址可变，对应上面那三个地址，分别由地址线A1 A2 选择？
我看程序是分别对上面三个地址赋值实现数据、地址和命令的输入的。
2.如果是的话，ARM是怎么控制A1 A2 的？是因为对上面中某个地址赋值 A1A2就会自动变化吗？

登录 · 发表于 2013-3-20 16:01

本帖最后由 MCU2me 于 2013-3-20 17:42 编辑

硬件接线 A1 A2对应ARM的ADDR1、2 D0~D7对应DATA0~DATA7

发表于 2013-3-20 17:23

MCU里已经含有NAND FLASH控制器，所以，硬件连接方式也基本固定，只有使用MCU中定义的那些为了NAND FLASH提供了驱动的引脚才能使用上已有的硬件驱动器。
然后你只管访问数据，其他的状态切换由NAND FLASH驱动器已经自动完成了。你可以仔细研读一下MCU的数据手册中关于NAND FLASH控制器的部分资料。我只是推测的，怕不是很准确。
三星的片子不是有开机自动拷贝4KB数据到内存的NAND FLASH启动方法吗？也就是MCU上电就能自动执行时序，从NAND FLASH中复制出数据。

发表于 2013-3-20 17:31

上面定义的是MCU中寄存器的地址，对相应地址赋值，就能使相应引脚电平发生变化。具体可以查看MCU手册中寄存器表。

发表于 2013-3-20 17:36

江枫渔火发表于 2013-3-20 17:23
MCU里已经含有NAND FLASH控制器，所以，硬件连接方式也基本固定，只有使用MCU中定义的那些为了NAND FLASH提 ...

手册英文的看起来好费劲……找了几本书也没发现对这方面有很好的解释。那就先不管它是怎么切换状态的了。
如果把外部Flash映射（不知道用这个词是否准确）到ARM内部的某一个Bank上，是不是DATA口的地址是可以在这个Bank内任意选取的，由地址线决定？

MCU2me · 发表于 2013-3-20 17:53

映射到这个BANK，就以这个BANK地址开始，访问这个BANK的地址，就等同于访问了FLASH内的内容了。这样就把地址在空间上管理起来了，屏蔽了底层的交流。所有的东西放在同一个地址平面上玩。

发表于 2013-3-20 17:54

可以找同系列的手册看，内容其实差不多的。这个芯片没中文的，那跟他类似的另一个芯片有中文的，也可以看着参考啊。度姐，谷哥~

发表于 2013-3-20 18:31

江枫渔火发表于 2013-3-20 17:54
可以找同系列的手册看，内容其实差不多的。这个芯片没中文的，那跟他类似的另一个芯片有中文的，也可以看着 ...

:handshake
刚开始学，不懂的太多了……

发表于 2013-3-21 09:16

本帖最后由 jlass 于 2013-3-21 09:20 编辑

从你的描述来看，S3c44b应该没用专用的nand flash的接口，而是使用通用的并口来模拟nand flash的操作，因为并口没有ALE，CLE的连线，所以使用A1和A2来模拟，
#define       NAND_DAT       0x08000000
#define       NAND_ALE       0x08000004
#define       NAND_CLE       0x08000002
后两句就是A1，A2对应NAND_ALE与NAND_CLE的定义语句，如果改为A3和A4，这两句定义也要做相应的改动。

#define NAND_ALE 0x08000010 对应A4
#define NAND_CLE 0x08000008 对应A3
比如程序在0x08000008 里写数据，A3就会变高，相应的NAND_CLE就变高了

发表于 2013-3-21 12:28

jlass 发表于 2013-3-21 09:16
从你的描述来看，S3c44b应该没用专用的nand flash的接口，而是使用通用的并口来模拟nand flash的操作，因为 ...

看来我还还猜对了……怎么没有一本书好好讲讲这部分的东西呢最为一个初学者我感觉挺难理解的
还有非常感谢你耐心的回答~

Flash 读写的初级问题

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