模拟电路MOSFET有些想不明白，望高手指点

只看该作者 · 2013-3-20 22:02

关于增强型MOSFET的问题，为什么Vds>(Vgs-Vt)饱和，Vds<(Vgs-Vt)是在可变电阻区了？这个有没有哪位仔细想过是怎么得出来的。

只看该作者 · 2013-3-22 11:55

没人吗？

只看该作者 · 2013-3-25 15:55

很简单，电压变，导电沟道也变，当某处的电势差小于开启电压就出现夹断

只看该作者 · 2013-3-26 12:52

先学习下MOS的工艺原理把

只看该作者 · 2013-3-26 16:58

这个再看一下模电书就知道了……

只看该作者 · 2013-3-26 19:34

-543 · 2013-3-28 20:15

书上有大概的原理了。想明白也不用死扣，记住一些经典的图形就啥都知道了

只看该作者 · 2013-3-28 21:34

电子线路书上有详细的MOSFET说明

只看该作者 · 2013-8-8 15:26

这个你要首先了解“FET”的含义，增强型的MOSFET，在VGS大于VTH的时候，才会形成沟道，形成沟道以后，VDS会影响不同点的电压，当VDS＞VGS-VTH的时候，在Drain端，沟道消失，形成一个空间电荷区，多余的VDS电压加在这个空间电荷区上，使得IDS不再随VDS变化，当然这个空间电荷区的长度与多余的VDS电压有关，会使得有效沟道变小，这就是所谓的沟道调制效应。反之，在VDS很小的时候，沟道还没有被夹断，相当于一个电阻，这个电阻也是随着VDS增加而变大的。

模拟电路MOSFET有些想不明白，望高手指点

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