各位大侠好
附件是我们产品中双向可控硅的应用电路和双向可控硅以及光耦的型号
电路能正常工作,但我不明白其中几个器件的参数是怎么计算出来的
几个不理解的地方如下:
附件是
1.光耦发光侧的限流电阻R133取多大比较合适?也就是发光侧的LED电流选多大比较合适?光耦的规格书里也没有这个参数啊
2.双向可控硅G极的限流电阻R132取值怎么计算?根据规格,最大的门极触发电流是30mA,最大门极触发电压是1.5V
我们的软件控制是过零点触发的。但是G极限流电阻为什么取300欧姆没人知道
3.双向可控硅G极的限流电阻R132取什么封装,要不要选用高耐压的电阻?我觉得不必要,因为双向可控硅打开前,220V交流
都压降在光耦的4-6脚,电阻R132的上几乎没有电压;双向可控硅打开后,220V交流都压降在加热器上,电阻R132的上也几乎没有电压。
我领导说,这颗电阻取普通的贴片电阻耐压不够,因为双向可控硅打开后,R132上是带220V强电的,所以要选用高耐压的电阻?大家说说看,这颗电阻要不要选用高耐压的电阻?
4.双向可控硅的保护电路RC电路在阻性负载-加热丝的应用上有没有必要。是不是只有感性负载才需要RC保护电路?
5.RC保护电路的具体参数该根据什么来确定呢?R取值多大,封装选什么?C容值选多大,耐压选630V
以上请各位帮我具体分析下
谢谢
TMG8C60.pdf
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KMOC3052.pdf
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双向可控硅应用电路.pdf
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