关于双向可控硅的参数问题

只看该作者 · 2013-3-30 22:49

各位大侠好

附件是我们产品中双向可控硅的应用电路和双向可控硅以及光耦的型号
电路能正常工作，但我不明白其中几个器件的参数是怎么计算出来的
几个不理解的地方如下：
附件是
1.光耦发光侧的限流电阻R133取多大比较合适？也就是发光侧的LED电流选多大比较合适？光耦的规格书里也没有这个参数啊

2.双向可控硅G极的限流电阻R132取值怎么计算？根据规格，最大的门极触发电流是30mA，最大门极触发电压是1.5V
我们的软件控制是过零点触发的。但是G极限流电阻为什么取300欧姆没人知道

3.双向可控硅G极的限流电阻R132取什么封装，要不要选用高耐压的电阻？我觉得不必要，因为双向可控硅打开前，220V交流
都压降在光耦的4-6脚，电阻R132的上几乎没有电压；双向可控硅打开后，220V交流都压降在加热器上，电阻R132的上也几乎没有电压。
我领导说，这颗电阻取普通的贴片电阻耐压不够，因为双向可控硅打开后，R132上是带220V强电的，所以要选用高耐压的电阻？大家说说看，这颗电阻要不要选用高耐压的电阻？

4.双向可控硅的保护电路RC电路在阻性负载-加热丝的应用上有没有必要。是不是只有感性负载才需要RC保护电路？

5.RC保护电路的具体参数该根据什么来确定呢？R取值多大，封装选什么？C容值选多大，耐压选630V

以上请各位帮我具体分析下

谢谢

TMG8C60.pdf (447.46 KB)

KMOC3052.pdf (355.43 KB)

双向可控硅应用电路.pdf (13.82 KB)

4万 · 2013-3-30 23:17

A1：看光耦的器件手册中LED的工作电流范围，通常取中值然后用欧姆定律计算。
A2：同样看器件手册，根据触发电流范围和需要的触发时间折衷选择，仍是使用欧姆定律计算。
A3：常规插件电阻的耐压可以满足220V回路，这个查查电阻的手册即可获知，用贴片电阻同样可以在手册中查到耐压，重要的是功率选择，一般功率满足时耐压即可满足，这个也是有手册参数为证，功率选择则同样用欧姆定律计算。
A4：RC吸收回路是用于应对感性负载的，常规阻性负载不需要。
A5：用于感性负载时，RC参数的选择由负载参数决定。

只看该作者 · 2013-4-6 21:58

chunyang 发表于 2013-3-30 23:17
A1：看光耦的器件手册中LED的工作电流范围，通常取中值然后用欧姆定律计算。
A2：同样看器件手册，根据触发 ...

谢谢春阳大哥
追问如下：
A1：LED的工作电流最大是50mA，“通常取中值”是什么意思？取25mA吗？这个值取越大越好，还是越小越好？这个电路中，R取300欧姆，工作电流应该是10mA?

A2:触发电流范围和需要的触发时间折衷选择?不理解，能具体帮我引用其中的参数，计算下吗？

A3：这个电阻的功率要选多大啊?怎么计算出来的？

A4:怎么简单的区分电阻负载还是感性负载呢？

A5：“用于感性负载时，RC参数的选择由负载参数决定”----怎么调试啊

万分感谢

只看该作者 · 2013-4-6 22:55

本帖最后由 yuri99q 于 2013-4-6 22:56 编辑

AC端是继电器，电机的话就是感性负载！
如果是发热芯的话，是阻性负载。

据说，
可以不加RC保护电路来保护可控硅。
加了RC保护的话，如果它们的质量不好，会出现漏电。
不过，RC保护器件，建议预留在PCB板上。

4万 · 2013-4-8 19:37

xiaoxi06010027 发表于 2013-4-6 21:58
谢谢春阳大哥
追问如下：
A1：LED的工作电流最大是50mA，“通常取中值”是什么意思？取25mA吗？这个值取 ...

A1：中值就是中间区域的值，如果最大工作电流是50mA（注意是最大额定值不是极限值），那么通常取15-35mA区间，哪个值合适要看设计的目的，可控硅导通不是有触发电流就行，而是高于门限电流的一个电流积分，电流越大导通的速度越快，但功耗也越大。

A2：见前述，不理解的话去看可控硅原理方面的书籍。

A3：根据欧姆定律计算。

A4：看电感量参数，简单识别的话，有线圈的为感性负载。

A5：不需要调试而是需要测试。