可控硅调压和补偿电容是不是冲突？

只看该作者 · 2007-1-20 14:59

有人说，如果灯光用可控硅调压，而后面的灯具又接了补偿电容，很可能烧可控硅。这个说法对吗？
怎么解释呢？

只看该作者 · 2007-1-20 15:01

只看该作者 · 2007-1-20 15:05

就是过零点关断，到合适的时候才打开。这样子正弦波就会少一部分，电压就低了。这样一个波形加到补偿电容器上，会烧可控硅？

只看该作者 · 2007-1-20 18:33

4万 · 2007-1-20 20:03

只看该作者 · 2007-1-20 20:56

特别具体的公式我记不住了，我记得电容两端电压不能突变，还有就是电容通交流阻直流。当然这些都是很简单的说法。
可控硅斩波，肯定是在过零点时关闭，然后隔一定的时候导通。也就是正弦波少了一些，相当于直接给电容加上了一个突变的电压。按电容不能突变原理，此时的电压是加不上去的，可是可控硅的一边已经是100V（比如），而另一边的电容不允许电压突变，即还是0V，也就是说，导通的变压器两端的电压是100伏。如果可控硅导通，理想的可控硅算，相当于短路，电流无穷大，就烧可控硅。
是不是应该这么理解呢？
但是具体的公式应该能算出来补偿电容多大，导通角多少就会烧可控硅。估计这跟可控硅参数也有关系，唉，又是一个只能凭经验判断的事情

只看该作者 · 2007-1-20 20:59

我看到不少**提到可控硅斩波调压技术，因为和补偿电容冲突，所以不能使用，当然产生谐波也是一个原因。就是不太明白怎么跟电容补偿冲突。

只看该作者 · 2007-1-20 21:43

——源内阻，线路阻抗，可控硅di/dt,导通角，电容参数等。

只看该作者 · 2007-4-6 11:32

这个问题困扰了我很久，一直找不到合理的解释
请多指教！

可控硅调压和补偿电容是不是冲突？

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