特别具体的公式我记不住了，我记得电容两端电压不能突变，还有就是电容通交流阻直流。当然这些都是很简单的说法。
可控硅斩波，肯定是在过零点时关闭，然后隔一定的时候导通。也就是正弦波少了一些，相当于直接给电容加上了一个突变的电压。按电容不能突变原理，此时的电压是加不上去的，可是可控硅的一边已经是100V（比如），而另一边的电容不允许电压突变，即还是0V，也就是说，导通的变压器两端的电压是100伏。如果可控硅导通，理想的可控硅算，相当于短路，电流无穷大，就烧可控硅。
是不是应该这么理解呢？
但是具体的公式应该能算出来补偿电容多大，导通角多少就会烧可控硅。估计这跟可控硅参数也有关系，唉，又是一个只能凭经验判断的事情
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