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关于S25FL016 写数据的问题

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楼主
又一歪歪|  楼主 | 2008-8-1 17:19 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
RAM, 单片机, 芯片, TE
FALSH 芯片是不是只能先擦除才能写数据，而且只能擦除整个扇区，
当我想只写一个或几个字节数据时，这样先前存的其它数据都会被擦除掉，好像只能先把数据保存到另外的区间，但这样由于一个扇区有64Kbyte,如果保存到RAM中，需要的容量太大，我用的单片机只有1k的RAM,如果保存到另外的扇区，这样就需要擦除两个扇区、读两个扇区、写两个扇区的时间，需要时间就会很长，请问哪位大侠知道怎么处理，才最方便省时。

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沙发
lyjian| | 2008-8-1 18:24 | 只看该作者

FALSH芯片就是这种特性

要么你就换小扇区的FALSH芯片要么就换EEPROM芯片
S25FL016本来就不适合用来存放需要频繁更改的数据

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板凳
gyt| | 2008-8-1 18:32 | 只看该作者

还是用eeprom吧

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地板
又一歪歪|  楼主 | 2008-8-1 21:18 | 只看该作者

回LYJIAN

lyjian：
上次谢谢你了，按照你的方法，在5V系统上用3V的S25FL016，我已经成功用上了，但现在又遇到了上面的问题，要找其它芯片的话，时间上已经来不急了，有没有其它的办法，这个芯片是否能按页擦除。

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5楼
NE5532| | 2008-8-1 21:26 | 只看该作者

这个是串行FLASH，与一般的FLASH不同

擦除以页面为单位，写入可以以位为单位。LZ好好消化一下DATASHEET

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6楼
又一歪歪|  楼主 | 2008-8-1 22:03 | 只看该作者

回楼上

楼上，请问一下你用过S25FL016，或者其系列芯片没，如果你知道怎么样页擦除，请教我一下，不胜感激。
DATASHEET里没有提到页擦除命令，只有扇区擦除和整个芯片擦除。

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7楼
lyjian| | 2008-8-2 15:25 | 只看该作者

你可以换其他支持Page Erase的芯片

如Atmel的45DB161
St的25PE16
等等

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8楼
NE5532| | 2008-8-2 16:56 | 只看该作者

应该说我没描述清楚，擦除的单位是Sector

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