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请教:FLASH和SDRAM移数据问题

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ethunter|  楼主 | 2008-8-8 10:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
大体情况:
我刚到这个公司,就扔给我这么个问题:
以前进得老flash片子可以正常读写,近期又进了一批,放在原板子上就不好用了,同一个地进得片子,他们哪边就说只调整了一下含铅得量,其它没改,请大家帮分析一下有可能都是什么原因~!
问题1:有人用过SST得flash没有?如果我杨读flash得话,给他时续之后,数据总线上得数据能停留多长时间,是不是WE拉低,数据就没了,还是等WE拉低再后高才没?
问题2:我用得是AR2001处理器,如果想看FLASH是否写进去了及读是否对,能用示波器抓波型看出来吗?
问题3:FLASH和SDRAM之间移数据是否有什么原则,需要注意什么?


请各个高人指点迷经,谢谢了~!

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沙发
lyjian| | 2008-8-8 12:54 | 只看该作者

问题1:看你使用的Flash芯片的规格书中的时序不是更好?

问题2:你可以把片子拿到编程器上读一读就知道了是否写进去了。
检查是否读得对还是用编程器:在某个地址写些数据,CPU读进来比较一下就知道对不对了
问题3:什么原则?符合规格书的时序要求就行。

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板凳
ethunter|  楼主 | 2008-8-8 13:54 | 只看该作者

感谢

还是谢谢楼上那位,这个芯片没有仿真器,很是闷,要不我也想读进来瞧...........

FLASH和SDRAM之间通信,我看时续了,读FLASH需要WE一直拉高,而SDRAM写需要WE低,所以产生了第一个问题,不知道有没有哪为高人做过这方面得项目,再给点意见,十分感激了

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地板
lyjian| | 2008-8-8 14:05 | 只看该作者

Flash和SDRAM都有片选控制的

读写FLASH或SDRAM时WE是高是低根本就不会影响到没有选中的芯片。
还有,你要知道的问题1在Flash的规格书中的也写得清清楚楚
你说的看了时序,看的是什么时序

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lyjian| | 2008-8-8 14:13 | 只看该作者

读无效后数据在总线上停留的时间

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ethunter|  楼主 | 2008-8-8 14:22 | 只看该作者

十分感谢

是我自己得问题,看得不够细,没有完全消化时序图~!

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