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一道面试题------------------------------------突然被问懵了

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楼主
diablo7752|  楼主 | 2008-10-14 10:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
wangkj| | 2008-10-14 11:17 | 只看该作者

压降不同

cmos的低电平很低

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板凳
diablo7752|  楼主 | 2008-10-14 11:38 | 只看该作者

用P管. 还是N管?

我觉得用N管共集电极输出,n管的电子迁移率比较低,所以在饱和区的跨导相比p管低,栅极电压可以更容易地控制漏电流。


不知道我的想法对不?

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地板
lyjian| | 2008-10-14 11:42 | 只看该作者

N管P管都没什么区别

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lyjian| | 2008-10-14 11:43 | 只看该作者

作为开关管精确传递模拟低电平

这句话本身就是一种矛盾

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xusnwise| | 2008-10-14 11:43 | 只看该作者

那肯定是NMOS了

NMOS  有利传输低电平
PMOS  有利传输高电平

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7
hgjinwei| | 2008-10-14 12:01 | 只看该作者

用N管

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8
lyjian| | 2008-10-14 12:38 | 只看该作者

N管用正电压控制,P管用负电压控制,都能实现

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9
diablo7752|  楼主 | 2008-10-14 14:42 | 只看该作者

谢谢各位了

xusnwise  你能讲讲为什么 

NMOS  有利传输低电平
PMOS  有利传输高电平

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xusnwise| | 2008-10-14 15:22 | 只看该作者

楼主要恶补基础哦

对NMOS, 由于GATE为高时导通, 理论上只能精确传输:
0V到(Vgate-Vth)之间摆幅的信号.

LZ可以推想下, PMOS, 不多说了

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11
diablo7752|  楼主 | 2008-10-14 16:34 | 只看该作者

xusnwise 我不懂你的意思

什么叫“只能精确传输”

NMOS除了能开关外还能作为 线性电阻 可控电流源 可变电容

再说电压摆幅下降是因为  过驱动电压的增加(Vgs)

我想讨论是“精确控制” 不是“大范围控制”

你还是把一句话讲清楚吧

我的看法还是用P管共集电极输出,P管的电子迁移率比较低,所以在饱和区的跨导相比N管低,栅极电压可以更容易地控制漏电流。

相对比较高的Vgs控制相对较小的Id,达到“精确控制”的目的

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12
diablo7752|  楼主 | 2008-10-15 08:08 | 只看该作者

顶上去看看

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awey| | 2008-10-15 08:18 | 只看该作者

两种管都一样

只要GS的电压大于Vth,MOS即导通,对于NMOS,要求控制端G的电压大于被传输的电压Vth值,而对于PMOS管,要求控制端G的电压低于被传输电压Vth值,即G端要加负电压。

所以对于单电源供电的系统,当然是用NMOS管好,而且控制信号也容易获得,可用一般MCU或数字芯片的IO口直接控制。

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14
athlon64fx| | 2008-10-15 08:32 | 只看该作者

没有本质区别

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