交流一下：各位使用FLASH存储数据记录的方式方法。

只看该作者 · 2008-12-27 21:49

以前使用嵌入式的方案，直接用方案提供的FS2文件系统，可以方便的增加，删除，修改。
现在换了ZLG主推的 LM3S8962 ARM芯片，使用串行NOR FLASH SST25VFxxx，但是方案只提供了基本的读写与扇区擦除命令，而我们的应用除了新增记录，还经常需要更改记录的操作，没有文件系统的支持，想了半天没想到啥好的算法，也不知道大家都是怎么思考和处理的，希望各位能给个提示，先谢啦！
我觉得其实这个问题应该大家都遇到过吧，对于需要修改记录的操作，就要注意FLASH的扇区擦除特性，擦除寿命等问题。看了JFFS2等一些文件系统，感觉都是在linux类操作系统下比较流行，真正针对类似C51等低端MCU的好像还不多见，有没有好的推荐呢？

1万 · 2008-12-27 21:52

一般都是简单的数据结构,直接存储就行...

只看该作者 · 2008-12-28 13:52

但是要考虑到NOR FLASH的特性，扇区使用的均衡就要考虑，虽然是个简单的数据结构，但是要做到坏块标识，擦写均衡，就是个很复杂的算法问题了。

只看该作者 · 2008-12-28 13:53

这个应用应该是很通用的，我看到国外也有专门的公司TRI在做这个FMM，但是没研究过只是看到一些文字介绍。
其实不考虑均衡擦写的话实现起来当然没啥难度，大不了读出来一个扇区到内存，修改好擦除整个扇区再写回，但是这太原始了。

1万 · 2008-12-28 17:56

这样大家的寿命基本是一样的

只看该作者 · 2008-12-28 22:45

可能是我说的不够清楚，NOR FLASH每个扇区4K，可以存储我们应用的250条记录，总共存储10万笔记录基本上扇区也就使用的差不多了，而这些记录都有被更改的可能，这时就需要一个比较科学的算法来均衡擦写，否则恶略的情况是一次就要更新全部10万笔记录，或者连续几百笔记录会N次更改。

只看该作者 · 2017-2-26 11:18

mark，没考虑均衡擦写的问题，不知道EEPROM是否可以避免这个？
我做过一个，将flash分为两个区，目录和数据区，目录存储数据序号，从目录区0x0~0xff的地址中哪个字节为空则往该序号对应的数据区的地址上写数据。目录区将会频繁擦写，寿命会降低。不过可以将flash分为3个区，两个作为目录，轮流写，这个还没实现，不知是否可行，寿命应该会延长一倍，达到20万次。