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IO口锁死(怀疑是可控硅效应)

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tee4509|  楼主 | 2007-9-8 13:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
最近用C8051F015这款单片机做试验时发现一个奇怪的现象,就是端口锁死.
这种情况是在干扰比较严重(开关电源模块,热插拔时)偶尔会出现,一旦出现,不管单片机引脚是高电平还是低电平,单片机读取的值始终不变,即使让单片机复位.唯一的解决办法就是断电,断电后才能正确读取端口电平值.

在网上查了些资料,不是很详细,大致都是说这是cmos电路的可控硅效应,不过资料不全,还是不是很明白,恳请大虾指教.  

如果解决这个问题?或者如何防止这样问题的出现

硬件电路是:高电平:10K电阻到电源 
           低电平:直接短路到地

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沙发
awey| | 2007-9-8 14:08 | 只看该作者

没必要深究,知道有这么会事就行了

引起IO口锁死的原因一般是在IO口上,有超出电源电压范围的电压或干扰电压引起。

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板凳
tee4509|  楼主 | 2007-9-8 14:40 | 只看该作者

IO口锁死(怀疑是可控硅效应)

io口跟电源是通的,如果有干扰脉冲也被电源吸收了的啊

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地板
ayb_ice| | 2007-9-8 16:30 | 只看该作者

我一直用C8051F,从没有这种现象...

有遇到过调试的C2_DA有时不程序控制(脱机运行时)...

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bg6nw| | 2007-9-8 20:26 | 只看该作者

应该容易判断

可控硅效应发生时,会有异常发热,摸摸IC表面就知道了,通常会烫手

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gyt| | 2007-9-9 11:38 | 只看该作者

楼上说的是

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7
gordon_m| | 2007-9-9 19:49 | 只看该作者

Latch UP?

可控硅效应,
在这里应该说是CMOS Latch UP.

现在的CMOS I/O设计很成熟了,Latch UP不容易出现.
电压下过冲较大的时候,也可能导致出现.

不管怎么说,还是你电路有问题啊.
热插拔,需要对上电顺序进行控制.

若是电源电路没有设计好,可能导致较大的浪涌电压,这不仅是Latch up的问题了.

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