做EMI测试的时候,测得12M晶振和一个13.56M的晶振高次谐波辐射严重,重新画板,在每个IC的VCC端,总线及IO上都加了电感(电感经专门挑选的,各个位置选用不同规格),新板能正常工作,但用示波器看其VCC和GND波形,发现杂波严重,幅度达+-0.7v,而原板最多只+-0.3v而已.
电源是LM2576S.
问题如下:
1.新板VCC和GND杂波更严重,对系统会有什么影响,布线时怎样才能消除,新板的EMI性能是否会更差?
2.板上3个发射源:12M单片机晶振,13.56M晶振,LM2576S开关电源,(RTC是RX8025,晶振集成在里面,不知是否也有影响),该怎样处理,才能降低辐射.
3.另外,产品属低速系统,工作环境是室内,我觉得总线及IO上的电感没有必要.
希望各位给点建议. |
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