Holtek单片机上电复位异常的问题

只看该作者 · 2007-10-24 03:08

使用Holtek单片机开发一产品，由于产品应用环境及现有设计决定MCU上电时VDD（3.6V）的充电时间为190ms;产品断电时VDD下降非常缓慢, 30s时降到1.72V, 60s时降到0.9V,90s时降到0.78V,150s时降到0.43V,180s时降到0.33V。HT45R04E内部LVR打开，复位电路采用datasheet中的典型电路。当产品断电180s后才上电时，产品处于死机状态，此时VDD已达3.6V,复位信号也处于高电平状态，但晶振不起振，部分产品中甚至测得I/O有高电平输出。进入死机状态后，必须对产品进行长时间断电，约１０分钟，才能使单片机从死机状态中恢复，否则无任如何断电/上电或手动复位都不能使单片机从死机状态中恢复。修改复位电路中的延时电容的参数及外加2.7V低电压检测芯片(XC61CC2702N)均不能解决上述问题，但如果加快VDD充电时间(约为30ms时)，在VDD放电时间不变的情况下，上述问题能解决。
请教各位高手，产生上述问题的根本原因是什么？在不改变VDD充电时间的情况下有无解决办法？上述死机现象是否因为发生CMOS　Latch-up(闩锁)效应引起的？
非常感谢！！

只看该作者 · 2007-10-24 08:27

谈一下MCU对于复位的要求，仅供参考：
   1. 假定MCU的复位引脚为Low有效，即/REST；
   2. 复位工程应为：
      1) Power On；
      2) 确保/REST引脚在一定时间(据DataSheet要求)内保持Low，
         以使MCU对LSI复位；
         注：必须依据Datasheet保证/REST引脚在Low时，维持在一定
             电压水平以下(eg.有些芯片要求在0.1V以下)，否则不能进入
             复位状态；
      3) 使/REST恢复为High，结束复位动作；
         注：此时MCU侦测到高电平/上升沿，进而由中断复位入口函数开始
             进入程式处理；
             (对边沿触发类的MCU而言，需要快速实验Low to High，
             否则可能导致上升沿丢失等问题出现)；

1万 · 2007-10-24 08:29

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