关于可控硅发热问题

只看该作者 · 2013-4-10 16:24

我用控硅作为AC220V电源开关，可控硅工作时发热量很大，
据说，有这么一种说法，在交流电过零点用脉冲电平触发可控硅门极，使其导通，这样可以大幅度减少可控发热量。
我觉得这种说法没有根据，因为可控硅的门极功耗不大。
不知道大家对此有何见解？

1万 · 2013-4-10 17:51

本帖最后由 airwill 于 2013-4-10 17:53 编辑

过零点用脉冲电平触发可控硅, 由于避免了开启损耗，对减小功耗有帮助。但这样就不能很好地调速了。
由于可控硅导通压降的存在，这个电压通常在 1V 以上，开通时发热仍然无法避免。散热措施还是必要的。
另外，还可以采用 MOSFET 来得到更小的压降和发热量

只看该作者 · 2013-4-10 22:06

可控硅发热的原因有很多：可能是过电流引起的，应选择额定电流大的可控硅，或是改善散热条件（加大散热片面积、加散热风扇等）。
可控硅的发热时与负载的大小有关系的，负载越重，电流就越大，发热就越严重。可控硅都会存在一定的压降，这个压降就是可控硅本身消耗的功率，如果可控硅通过的电流越大，其发热的程度会越高。
控制可控硅的开关时间，尽量在零电流或零电压点开关，这样可以极大减少发热量。

只看该作者 · 2013-4-11 09:39

airwill 发表于 2013-4-10 17:51
过零点用脉冲电平触发可控硅, 由于避免了开启损耗，对减小功耗有帮助。但这样就不能很好地调速了。
由于可 ...

我现在不需要用可控硅来调速调压，请问这种过零点导通控制时，是不是要在交流电的每个过零点时都要在门极外加一个脉冲信号呢？
另外，mosfet可以用在220v强电吗？你能不能推荐一款呢？

只看该作者 · 2013-4-11 09:42

mornsunfae 发表于 2013-4-10 22:06
可控硅发热的原因有很多：可能是过电流引起的，应选择额定电流大的可控硅，或是改善散热条件（加大散热片面 ...

请问这种过零点导通控制时，是不是要在交流电的每个过零点时都要在门极外加一个脉冲信号呢？
你说能极大减少发热量，能减少多少呢？
我们公司在重庆，一直都和重庆金升阳FAE保持很好的合作关系。当时我也问过重庆的fae，他们对这方面也不太了解。

1万 · 2013-4-11 09:46

本帖最后由 airwill 于 2013-4-11 09:50 编辑

是不是要在交流电的每个过零点时都要在门极外加一个脉冲信号呢？是的, 而且足够宽度, 保证脉冲过后, 工作电流已经大于保持电流了.
另外，mosfet可以用在220v强电吗？你能不能推荐一款呢？ 400V /600V 的 MOSFET 很多, 比如 10N60. 根据工作电流去选吧, 不过驱动电路会比较复杂