终于解决第一个问题了。如下：一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为
(1)
为变容二极管的结电容， 为变容管加零偏压时的结电容；VD为变容管PN结内建电位差（硅管VD=0.7V，锗管VD=0.3V）； 为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v为变容管两端所加的反向电压。在小频偏情况下，选 =1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选 =2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。
变容二极管的 特性曲线如图2所示。当加入的反向电压为 时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q处，可得曲线的斜率为 。
图2 变容二极管的 特性曲线
2、变容二极管重要参数：变容比率与Q值
（1）变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为 ，可得近似的变容比率为
(2)
式中， ——在偏压最小时的结电容值； ——在偏压最大时的结电容值。
可见，变容比率 与 值有关， 值愈大变容比率 愈大。
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