终于解决第一个问题了。如下:一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为
(1)
为变容二极管的结电容, 为变容管加零偏压时的结电容;VD为变容管PN结内建电位差(硅管VD=0.7V,锗管VD=0.3V); 为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关;v为变容管两端所加的反向电压。在小频偏情况下,选 =1的变容二极管可近似实现线性调频;在大频偏情况下,必须选 =2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频。
变容二极管的 特性曲线如图2所示。当加入的反向电压为 时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q处,可得曲线的斜率为 。
图2 变容二极管的 特性曲线
2、变容二极管重要参数:变容比率与Q值
(1)变容比率,实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值,设为 ,可得近似的变容比率为
(2)
式中, ——在偏压最小时的结电容值; ——在偏压最大时的结电容值。
可见,变容比率 与 值有关, 值愈大变容比率 愈大。
|