求助，IR2110无**确输出PWM

发表于 2013-4-17 14:57

新手，求助。
做的无刷直流电机驱动电路，使用dspic30f4011作为主控芯片，3个IR2110作为驱动芯片，MOS管选用IR2407。
dspic30f的PWM正常输出。
其中一个IR2110的HIN输入高电平，另一个IR2110的LIN输入PWM。其他输入都为低电平。
现在问题是，三个IR2110都是LO输出为0，HO输出为不规则方波。
求高手帮忙分析分析，是哪里出问题了。

发表于 2013-4-17 15:39

你的三个IR2110的HIN与LIN分别输入什么？最好来张图

发表于 2013-4-21 20:14

有波形图吗, 会不会是电源电压不足引起保护了?

登录 · 发表于 2013-5-2 15:08

本帖最后由 TT的爱于 2013-5-2 15:18 编辑

xfx1989 发表于 2013-4-17 15:39
你的三个IR2110的HIN与LIN分别输入什么？最好来张图

HIN输入高电平，LIN输入PWM波。图如下：

其中，通道1，3，5都是接的LIN，输入为PWM。通道2，4，6接的HIN，输入为高电平。

登录 · 发表于 2013-5-2 15:11

airwill 发表于 2013-4-21 20:14
有波形图吗, 会不会是电源电压不足引起保护了?

现在HO是每次有一个口或两个口输出高电平，LO是全输出低电平。
我上张电路图，您帮我看看我的电路图有没有设计错。

发表于 2013-5-2 15:32

VDD 15V 的条件下, HIN 和 LIN 的输入的高电平 5V, 太低了.

发表于 2013-5-2 15:39

airwill 发表于 2013-5-2 15:32
VDD 15V 的条件下, HIN 和 LIN 的输入的高电平 5V, 太低了.

那把VDD改为5V怎么样？IR2110的数据手册上，HIN和LIN的电压值只要大于VSS，小于VDD就行了。

发表于 2013-5-2 15:42

应该可以, 试试看吧

发表于 2013-5-2 15:49

airwill 发表于 2013-5-2 15:42
应该可以, 试试看吧

还有一个问题，本来我是将VSS和COM连在一起做共用地，现在VDD要改5V的话，VSS也要改为跟单片机共用地了，这样可以吗？

发表于 2013-5-2 15:51

airwill 发表于 2013-5-2 15:42
应该可以, 试试看吧

还有一个问题。原来我是把IR2110的VSS和COM共接做地，现在要把VDD改为5V了，可以把VSS改为和单片机共用地吗？

发表于 2013-5-3 13:05

我也没做过直流电机驱动，但我给楼主几点建义：
1、不要改VDD电压，还是用15V的，MOS管Vgs一般为10~20V，用5V驱动，MOS很难饱和驱动；
2、IR2110上侧管驱动是靠电容自举充电来驱动的，你长期高电平驱动，自举电容不能充电，驱动电压不够，MOS无法开通，所以要用PWM来驱动上侧管，下侧管可以用高电平驱动。

发表于 2013-5-3 13:11

PWM每组最好互补输出，这样就算不接负载，自举电容也会有充电回路，如果不采用互补输出，只能通过负载回路来给电容充电。

发表于 2013-5-3 13:19

C9自举电容太小，换成10UF的。C3\C8最好也换一下。

发表于 2013-5-7 09:33

airwill 发表于 2013-5-2 15:32
VDD 15V 的条件下, HIN 和 LIN 的输入的高电平 5V, 太低了.

谢谢！改过以后，现在HO无论是PWM或者是高电平都可以进行输出了，但是LO仍然一直输出低电平。还有一个小问题，我将HO设为输出PWM，当PWM切换输出芯片时，如从第一个IR2110切换到第二个IR2110时，会出现有一个HO会变为高电平的情况。

发表于 2013-5-7 11:23

thanklei 发表于 2013-5-3 13:05
我也没做过直流电机驱动，但我给楼主几点建义：
1、不要改VDD电压，还是用15V的，MOS管Vgs一般为10~20V，用 ...

谢谢你的建议。
但是：
1.MOS管的驱动电压实际是由VCC提供的，VCC和VB分别为低端电源电压（与LO有关）和高端浮置电源电压（与HO有关），而VB的电压其实就是自举电压VC1，由VCC给自举电容充电得来，与VDD无关。所以我感觉将VDD改成5V是没有影响的。
2.IR2110的工作原理和thanklei兄想的可能有些不一样。给自举电容充电的电压就是15V的VCC。当LIN为高电平时，Q6导通，VCC通过D7，Q6给C9充电。当HIN为高时，Q5导通，VC1加到Q5的栅极和源极之间，C1放电。而且，PWM在三个芯片间不停地切换，高电平也在三个芯片间不停切换，不会长期为高电平驱动。所以PWM和高电平无论哪个在上侧管或下侧管都是可以的。两种在程序里我都试过，都可以的。
3.由于是驱动三相直流无刷电机，共有3个IR2110，3组（6个）MOS管。电机转动的每六分之一圈的时间里只能有其中一组MOS管的高端MOS管和另一组MOS管的低端MOS管导通，电机才能转动。这些导通的MOS管的顺序也在按每六分之一转动周期就切换一次。这就要其中一个IR2110的LO和另外一个IR2110的HO同时为高电平时才能导通工作，其中一个为PWM，另外一个为高电平，可以通过调节PWM占空比起到控制导通时间和导通电压的作用，如果PWM输出互补的话，那就不会出现同时为高电平使两个MOS管导通的情况了。
4.更改电容我会试一试的。但是自举电容过大的话，我怕充电时间就有点长了。

发表于 2013-5-7 16:23

自举电容 1u 是小了点, 但对于一个 2407, 应该不会有问题.
不过还是建议大一些

发表于 2013-5-8 08:10

本帖最后由 TT的爱于 2013-5-8 08:34 编辑

airwill 发表于 2013-5-7 16:23
自举电容 1u 是小了点, 但对于一个 2407, 应该不会有问题.
不过还是建议大一些 ...

我再焊块板子，换一下电容专门来测IR2110试试。那个滤波电容C8需要为C9的十倍左右吗？还有一点想不通的是，只有当下侧MOS管导通时C9才能够进行自举充电，但现在LO始终为零，下侧MOS管不导通，为什么上侧的HO仍然可以输出PWM或者高电平？

发表于 2013-5-8 08:31

如果 LO 从来没有导通过, 那就不能自举, 那么 HO 就不可能输出 PWM.
当然, 有可能是从 R16 那个未见图形的地方提供了通路. 要么是你的测试手段有问题.

发表于 2013-5-8 08:36

本帖最后由 TT的爱于 2013-5-8 08:40 编辑

airwill 发表于 2013-5-8 08:31
如果 LO 从来没有导通过, 那就不能自举, 那么 HO 就不可能输出 PWM.
当然, 有可能是从 R16 那个未见图形的 ...

测试的时候我是以IR2110的VS为地，测的HO的波形。测LO的时候是以COM为地测的。

登录 · 发表于 2013-5-10 09:22

本帖最后由 TT的爱于 2013-5-10 09:49 编辑

airwill 发表于 2013-5-8 08:31
如果 LO 从来没有导通过, 那就不能自举, 那么 HO 就不可能输出 PWM.
当然, 有可能是从 R16 那个未见图形的 ...

我前面测试的时候没有上24V电压。
换电容也试过了，但还没找出问题在哪，把现在使用的电路的图给发上来了，同时也测了一些数据。
发现三个下侧的MOS管总是会有电压Vds存在。
不连接电机也不接24V电压时，下侧Vds大概为2.3v，上侧Vds为0。
接了电机但不接24V电压时，下侧Vds为4V，上侧Vds为0，只有一个上侧的Vgs有电压，其他Vgs全部为0。
接了电机和24V电压时，下侧Vds为9V，上侧Vds为14.1V，所有Vgs始终为0。
能不能帮忙分析一下下侧的Vgs是从哪里来的？

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