关于射随中的那个自举

2万 · 2013-4-18 10:57

本帖最后由 HWM 于 2013-4-18 11:41 编辑

射随原本就具有比较大的输入阻抗，但若存在输入偏置的话会大幅降低其总的输入阻抗。下面简单分析一下采用自举电容后的结果。

设偏置交流等效电阻为Rb = R1 + R2（R1和R2串联），从射极接一电容（信号频率下容抗可忽略）至其串联中间节点。

下面给出参数：

  R0 = (R1||rbe) + (R2||Re)

  Topen = 0

  Tclose = β (R1||R2||Re) / (rbe + (R1||R2||Re))

  Ri = R0 (1 + Tclose) / (1 + Topen)
   = [(R1||rbe) + (R2||Re)](1 + β (R1||R2||Re) / (rbe + (R1||R2||Re)))

如果取消那个电容，则

  R0' = (R1 + R2)||(rbe + Re)

  Topen' = β Re / (R1 + R2 + rbe + Re)

  Tclose' = β Re / (rbe + Re)

  Ri' = R0' (1 + Tclose') / (1 + Topen')
   = [(R1 + R2)||(rbe + Re)](1 + β Re / (rbe + Re))/(1 + β Re / (R1 + R2 + rbe + Re))

显见R1和R2（Rb = R1 + R2）的分配对其自举效果有着很大的影响。