晶振12MHZ 左右
void Delay(unsigned int num)
{
while( --num ) ;
}
/*初始化ds1820 */
/*******************************************************************/
4.Init_DS18B20(void)
{
DQ = 1 ; //DQ复位
Delay(8) ; //稍做延时
DQ = 0 ; //单片机将DQ拉低
Delay(90) ; //精确延时 大于 480us
1. DQ = 1 ; //拉高总线
Delay(8) ;
presence = DQ ; //如果=0则初始化成功 =1则初始化失败
2. Delay(100) ;
DQ = 1 ;
return(presence) ; //返回信号，0=presence,1= no presence
}
问题：在1处拉高后 时序图上说等待15~60US 为什么程序上是 Delay(8)
约为80us 在2处延迟了 Delay(100) 约为1000us 而时序上要求是60~204us
我都蒙了 |
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