菜鸟请教,如何才能提高51单片机访问外部SRAM的速度?

只看该作者 · 2008-2-1 08:34

最近做一个东西,是将采样到的周期信号存储到外部SRAM中,用的是6264,思路是这样的,当AD转换结束一次则把采样到的结果存储一次(外部SRAM).存储程序如下:
         uchar xdata *add_ad_h;
    *add_ad_h=AD_H;
    add_ad_h++;
    *add_ad_h=AD_L;
    add_ad_h++;

采用指针移动外部SRAM的地址,AD转换结束标志接的是外部中断0,为了提高采样率,采用的是查询方式.现在发现的是,在存储数据的时候,速度太慢了.也就是数据还没有完全存到外部SRAM的时候,AD就转换完成了.这样的话就限制了采样速度了.不知道如何编写程序才能提高对外部SRAM的访问速度.请高手指点.非常感谢.

只看该作者 · 2008-2-1 08:46

SRAM又不是FLASH和EEPROM，如果说因为代码的效率不高，可内嵌汇编了

3万 · 2008-2-1 08:56

贴出你的汇编代码看看、算一算，还有，说出AD的参数。

2万 · 2008-2-1 09:14

4万 · 2008-2-1 09:34

同时尽量采用较高的工作时钟频率。

只看该作者 · 2008-2-1 09:35

市面上的都是旧货、拆机货、翻新货。而且还很贵。
至少用62256，便宜。

uint xdata *add_ad_h;
*add_ad_h++ = (AD_H<<8) | AD_L;

只看该作者 · 2008-2-1 09:36

只看该作者 · 2008-2-1 09:46

补充一下,AD采样率是100K,转换周期是6us.单片机晶振是12M,现在我采样的是两路5OHz信号,通过多路开关切换,定时器定时20ms,即采样一个周期.采样到的点数总共只有不到300个点,一路信号也就最多150个点.这样算来的话也就是差不多66us一个点.现在我想的是能再提高点,能采样400个点.不知道该如何提高.请高手指点一下.现在把中断程序贴一下:
while(ad_end!=1)        //等待定时标志,定时20ms;
   {
      if(IE0==1)           //查询外部中断0标志;
    {
      ET1=0;
      sp++;
      RD=0;
      P0=0xff;
      AD_L=P0;       //AD转换低位;
      AD_H=P1;       //AD转换高四位;
      RD=1;
      if(HB==0)                //存储UH信号；
        {
          *add_ad_h=AD_H;            //uchar xdata *add_ad_h;
          add_ad_h++;
          *add_ad_h=AD_L;
          add_ad_h++;
          P2=gain_UB;
        }
    else                    //存储UB信号；
       {
          *add_ad_b=AD_H;
          add_ad_b++;
          *add_ad_b=AD_L;
          add_ad_b++;
          P2=gain_UH;
       }
    MUL^=1;                      //信号选择;
    HB=MUL;
    *add_ad=0x48;                //启动AD转换;
    ET1=1;
    }
}

我把
               *add_ad_h=AD_H;            //uchar xdata *add_ad_h;
          add_ad_h++;
          *add_ad_h=AD_L;
          add_ad_h++;
这部分编译的结果贴出来大家看看,是否还有精简的余地
   957:                 *add_ad_h=AD_H;
C:0x08B8    852B82   MOV      DPL(0x82),0x2B
C:0x08BB    852A83   MOV      DPH(0x83),add_ad_h(0x2A)
C:0x08BE    E532     MOV      A,AD_H(0x32)
C:0x08C0    F0       MOVX     @DPTR,A
   958:                 add_ad_h++;
C:0x08C1    052B     INC      0x2B
C:0x08C3    E52B     MOV      A,0x2B
C:0x08C5    7002     JNZ      C:08C9
C:0x08C7    052A     INC      add_ad_h(0x2A)
   959:                 *add_ad_h=AD_L;
C:0x08C9    F582     MOV      DPL(0x82),A
C:0x08CB    852A83   MOV      DPH(0x83),add_ad_h(0x2A)
C:0x08CE    E534     MOV      A,AD_L(0x34)
C:0x08D0    F0       MOVX     @DPTR,A
   960:                 add_ad_h++;
C:0x08D1    052B     INC      0x2B
C:0x08D3    E52B     MOV      A,0x2B
C:0x08D5    7002     JNZ      C:08D9
C:0x08D7    052A     INC      add_ad_h(0x2A)

2万 · 2008-2-1 10:00

只看该作者 · 2008-2-1 10:12

只看该作者 · 2008-2-1 10:19

6楼的建议是改为
uint xdata *add_ad_h;
*add_ad_h++ = (AD_H<<8) | AD_L;
之前我也是这么用的,但是前段时间在一本书上看到,在对外部SRAM操作的时候最好不要用整型数据类型,这样会降低访问速度.现在都还不是很明白原因是什么。
刚才也修改了一下,如果用上面的程序的话,确实会慢一点.
请指教,谢谢.