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有那位能从微观的角度解析一下

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楼主
code|  楼主 | 2013-4-25 09:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
压降, 二极管, 电流, LED, 发光二极管
本帖最后由 code 于 2013-4-25 09:23 编辑

那位能从微观的角度解析一下
我给普通的1N4007二极管施加1毫安的电流,产生正向0.6V的压降
给PC817光藕的二极管施加1毫安的电流,产生正向1.0V的压降
给LED绿色发光二极管施加1毫安的电流,产生正向2.1V的压降
同样都是二极管,一样的电流,为什么正向压降相差那么大???
为什么发光的,比不发光的正向压降大
他们的内部有什么差别   谢谢  非常感谢!!

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wangfeiyao| | 2013-5-23 09:22 | 只看该作者
与电流有关

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captzs| | 2013-5-23 10:31 | 只看该作者
与二极管的等效电阻大小有关

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lcdi| | 2013-5-23 11:17 | 只看该作者
与二极管的半导体材料和应用机制有关。
他们不是“同样”的二极管。就算不发光的，以前也有硅二极管和锗二极管，压降区别很大。就算都是硅二极管，具体结构不同（“点接触”型“面接触”型），压降，耐压和电流，速度都不同，接触面小的压降小，耐压和电流低，速度快。
对发光管来说，不同颜色的光用的材料不同，电特性就不同，压降就不同。一般来说红色压降小，蓝色较大，白色压降也很大。

现代半导体工艺是很复杂的，不是简单的硅就行了，往往还要掺杂一些其他微量元素，形成的“复合体”电特性和光特性就都不同。

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5楼
wh6ic| | 2013-5-23 17:08 | 只看该作者
本帖最后由 wh6ic 于 2013-5-23 17:21 编辑

就是PN结的基本原理，两侧的多子扩散到对侧，形成势垒；半导体材料和掺杂材料不同，势垒电位差就不一致。
通常电致发光半导体的势垒电位差比一般的半导体势垒要大些，这样有自由电子经过PN结时才会有足够的能量激发非自由电子向高能级跃迁，通常高能级是不稳定的，向低能级跃迁时就会释放出表现为电磁波的能量，这个电磁波就是不同的光了。

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