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关于MOS管与NPN管的疑问，很有意思

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xu_|  楼主 | 2013-4-28 11:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 饱和, NMOS管, ce
我最近，老是琢磨，为什么NPN管在饱和后，Vbe可以大于Vce，而NMOS管则VB必需要小于或等于VD呢？这是为什么呢？这个问题很有意思。不知道大家有何想法。

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沙发
maychang| | 2013-4-28 11:33 | 只看该作者
“而NMOS管则VB必需要小于或等于VD呢”

没有这个“必需”吧？

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板凳
xu_|  楼主 | 2013-4-28 14:02 | 只看该作者
确实，高一点不会损坏的。:)

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地板
PowerAnts| | 2013-5-3 16:42 | 只看该作者
1，NMOS那来的VB？
2，NMOS的饱和区是放大区

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5楼
xu_|  楼主 | 2013-5-3 17:14 | 只看该作者
楼上说的都对，
普通的NMOS管是将P衬底b直接与源极S直接短上的。

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6楼
MCU52| | 2013-5-3 22:37 | 只看该作者
NMOS的衬底一般是P型材料，而源极和漏极是N型材料，所以形成了PN结，为保证不使其导通，通常方法是将衬底接最低电位，
而PMOS刚好相反。
  MOS其实是四端器件，不过一般的MOS管衬底B并没引出来，将它们按上面的方法和D或S端短接了。

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