OPA705漏电流问题

只看该作者 · 2013-4-29 12:52

本帖最后由 magic_yuan 于 2013-4-29 12:53 编辑

各位大侠，
用CA3140跟随一个弱信号，CA3140输入偏置典型值10PA,后面想想想找个漏电流更低的，于是用OPA705,因为其偏置电流典型值为1PA，心想这样测试出来会更准。对同一个信号进行跟随测试，CA3140结果为1.218V，OPA705为1.265V。心想这可能是CA3140拉低了信号源，因为OPA705漏电流明显要小很多。
但对此信号并联两个CA3140进行测试，发现还是1.218V。这样就有个问题，如果CA3140对被测试信号进行一个拉低，那么两个CA3140肯定会将信号拉得更低，但结果却并不如此。
因此推断是OPA705对信号源灌入了一个电流，而这个电流估计是NA级别的。OPA705采用的是单电源12V供电，CA3140采用双电源供电。
可坑爹的是，规格书上明明写的是1PA的偏置电流，难道这TI公司也坑爹？我买的是正规渠道的货，价格也不便宜。
没找着TI的技术支持，不知道这个坛子有么。这个问题发生一段时间了，一直疑惑不解。
十分感谢！

只看该作者 · 2013-4-29 15:43

这实验没有弄过，可以帮你顶一下

只看该作者 · 2013-5-1 17:21

此坛冷清啊。

只看该作者 · 2013-5-1 20:37

要不我来帮你解释下吧，原则上来说对于CMOS的OPA他是不该有Ib这一参数的，原因是栅极与源漏是隔开的，但是是什么有了这个Ib的参数呢，原因是在pad上引入ESD diode的缘故，在对于电源和地之间IN+ -都有保护的diode或者说是ESD防护结构，他会有一定的漏电流产生，所以你可以去看下ESD的指标来断定漏电的大小，一般以LMC6062这样的或者说你用的CA3140来说，输入端的保护管是很脆弱的，Ib更小的情况下，一般需要外置保护管和串联电阻来保护OPA不被打坏~多数情况的漏电是这么产生的~你可以看一下手册对比下~

只看该作者 · 2013-5-2 10:04

HotCube 发表于 2013-5-1 20:37
要不我来帮你解释下吧，原则上来说对于CMOS的OPA他是不该有Ib这一参数的，原因是栅极与源漏是隔开的，但是 ...

多谢大侠的解答！
对大侠的指导中有如下疑惑，或者不同意见之处：
1，图中有OPA705内部构造图。大侠讲的G与DS隔开是什么意思？图中似乎是采用N与P型来中和掉漏电流。
2，输入极应该是有ESD保护。但图中似乎没有提到，且我用表笔测量了CA3140，似乎也没有。
3，OPA705的输入电流典型值为1PA，。如果有ESD二极管，貌似一般普通的二极管均远超过这个值。

只看该作者 · 2013-5-2 10:07

magic_yuan 发表于 2013-5-2 10:04
多谢大侠的解答！
对大侠的指导中有如下疑惑，或者不同意见之处：
1，图中有OPA705内部构造图。大侠 ...

1.你自己看下fet的结构，G D S的剖面图
2.有ESD保护是正常的，如果普通的结构你可以通过万用表笔对管脚和电源地去量
3.外置保护管一般为FET具体结构我等会拍照给你看~

只看该作者 · 2013-5-2 10:41

HotCube 发表于 2013-5-2 10:07
1.你自己看下fet的结构，G D S的剖面图
2.有ESD保护是正常的，如果普通的结构你可以通过万用表笔对管脚和 ...

十分感谢大侠！
1，貌似JFET(模电书中看的）G与D,S形成了PN节。小弟愚钝，还是有点不明白如何隔离的，呵呵。得再查点资料。
2，大侠可能看错上帖我写的内容了。我验证的结果是OP中无保护二极管，从漏电分析和实际万用表验证貌似均是。
再次感谢！

只看该作者 · 2013-5-2 10:54

magic_yuan 发表于 2013-5-2 10:41
十分感谢大侠！
1，貌似JFET(模电书中看的）G与D,S形成了PN节。小弟愚钝，还是有点不明白如何隔离的，呵 ...

https://bbs.21ic.com/icview-539771-1-1.html

你稍微看下，我有空码字解析下

只看该作者 · 2013-5-2 11:07

HotCube 发表于 2013-5-2 10:54
https://bbs.21ic.com/icview-539771-1-1.html

你稍微看下，我有空码字解析下

好，多谢！

只看该作者 · 2013-5-5 20:34

非常好

只看该作者 · 2013-5-7 18:35

呵呵再顶一个呵呵不错的学习帖子呵呵

OPA705漏电流问题

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