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如何选择电阻值才能使MOSFET分别工作在开关和放大状态?

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wxalex|  楼主 | 2007-8-21 13:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如下图,Input为频率1KHz,幅值5V的正弦信号,MOSFET为一理想N沟道增强型,
电源12V,
请问,如何选择电阻R的值,才能使MOSFET分别工作在开关状态和放大状态?而区分这两种状态的标准是什么?
多谢。

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沙发
davidli88| | 2007-8-21 14:05 | 只看该作者

理想器件?

若你的N-MOS是理想器件,那么D极电阻取值无限制。小到你的电源无法满足电流,大到寄生电容开始影响波形。

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板凳
wxalex|  楼主 | 2007-8-21 16:09 | 只看该作者

呵呵,那就当一般的MOSFET来讲吧。

关键是我想知道判断MOS管工作在开关状态和放大状态的条件是什么。
这是我要问的问题的关键,多谢。

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地板
maychang| | 2007-8-21 16:49 | 只看该作者

放大状态要求

MOSFET源极漏极之间电压不能接近于零也不能接近电源电压,是在这二者之间。
如果MOSFET源漏之间电压不是接近于零就是接近于电源电压,在这二者之间的时间非常短,那么它就是工作在开关状态。

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5
wxalex|  楼主 | 2007-8-22 07:50 | 只看该作者

呵呵,多谢

那在上面这个电路中,我任意取R的值都能使MOSFET工作在开关状态吗?
那么如何确定R值才能使MOSFET工作在开关状态呢?
多谢。

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6
maychang| | 2007-8-22 08:20 | 只看该作者

MOSFET是否工作在开关状态

漏极负载电阻并非唯一的决定因素。
是否工作在开关状态,更与门极驱动信号大小有关。

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7
lzyliuzhi| | 2007-8-22 08:22 | 只看该作者

想知道 关注中

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8
wxalex|  楼主 | 2007-8-22 08:30 | 只看该作者

那么,

为了使上图MOSFET工作在开关状态,
输入信号的幅值及R应该如何确定?
假如Vgs(th)=3V.

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9
wxalex|  楼主 | 2007-8-22 09:07 | 只看该作者

不知道俺的算法是否正确,请指教

与NPN三极管相似,
先计算D极临界饱和电流Ids=12/R(饱和时Vds近似为0),
然后根据转移电导g,算出临界饱和时的Vgs,即Vgss=Ids/g,
那么只要输入信号的幅值Vgs>Vgss,
该MOSFET理论上就应该工作在开关状态。

只是g是一个变量不好确定,也只能大致估算。

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10
wxalex|  楼主 | 2007-8-22 10:41 | 只看该作者

再顶一下吧

哪位大侠对俺的算法给个评论好吗,
是对还是错,给个说法。多谢。

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11
maychang| | 2007-8-22 10:54 | 只看该作者

对的

实际上,只要输入幅度足够大即可。

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