本帖最后由 freedomwzy 于 2013-5-3 14:29 编辑
各位高手，小弟最近负责的一个项目，是用单片机控制可控硅导通的，负载是电机，180W左右。
电机是正转工几秒，停几秒，反转几秒，再停几秒，这样重复运行的。
现在遇到的问题是：在正常情况下运行是没问题的，但是在测试EFT4KV时，电机先是堵转，接着两个可控硅都被击穿了。
我觉得可能是一路可控硅被误触发，导致正反转两路同时导通，把可控硅击穿。
从网上找了几种可控硅误触发的原因：
1.电压上升率dv/dt过高，在MT1和MT2间接RC吸收电路，R为100ohm，C为473，但是还是会被击穿；
2.电子噪声超过Vgt，造成的误触发
不知道该如何分析是什么情况造成的击穿，有何对策呢？ |
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