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求教一个单片机控制 MOS管 修改

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楼主

上图是我设计 用单片机引脚  POWER_DIS 的3V/0V   来控制 4.2V跟VCC2 是否导通。
但是出现的结果是 POWER_DIS=0V是 VCC2=0V,但 POWER_DIS=3V时 VCC2 只能有2.5V 过不到要求,
这个是N-MOS, 换成P-MOS   是  POWER_DIS=0V 后面电压能到  VCC2= 4.1V ,但是 POWER_DIS=3V时  VCC2=0.15V

求 高手指教一下 怎么改才能让POWER_DIS的高低电平能控制 VCC2 有无电

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沙发
zgf004494|  楼主 | 2013-5-5 23:36 | 只看该作者
深夜 自己先顶一个, 明天醒来 问题会自己解决的,oh ye!

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板凳
wape271| | 2013-5-6 08:23 | 只看该作者
N沟道的应该用漏极接负载吧

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地板
zgf004494|  楼主 | 2013-5-6 08:50 | 只看该作者

N沟道的S 栅极接负载

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5
kingheimer| | 2013-5-6 09:04 | 只看该作者
e这样可以的,不过要关断的话你的 POWER_DIS 3V电压应该关不了,你MOS的打开关断的电压是多少看看

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6
qzlbwang| | 2013-5-6 09:09 | 只看该作者
用P沟道,前面加一NPN三极管

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7
jjjyufan| | 2013-5-6 09:33 | 只看该作者
前级加个9013再驱动PMOS管

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jjjyufan| | 2013-5-6 09:37 | 只看该作者
参考

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zgf004494|  楼主 | 2013-5-6 09:54 | 只看该作者

那用法就跟两个三极管控制差不多了啊, 好像 我最近查了 都只能再加个三极管才能用,哎, 看来 省不了


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zgf004494|  楼主 | 2013-5-6 10:09 | 只看该作者

为什么 不可以改成这个 样子
当POWER_WIRE=0v 时 完全导通
当POWER_WIRE 定义为输入时 就相当于 上图9013的 断开啊,应该后面VCC 就没电了啊

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11
caijinhai| | 2013-5-6 12:54 | 只看该作者
可以不加三极管也可以实现, 把你的控制IO口设置成漏极开漏,然后上拉一个电阻到4.1V,这样绝对可以

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ansile| | 2013-5-6 14:38 | 只看该作者
控制I/O与源极存在压差问题

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jrh200310| | 2013-5-6 18:33 | 只看该作者
这种高边侧控制的需要提高栅极的电压,根据你的需求还是用P管来控制制比较好。

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14
sgj245609615| | 2013-5-6 20:59 | 只看该作者
学习下

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15
power5000| | 2016-11-24 15:45 | 只看该作者
AO3400 Features

VDS (V) = 30V
ID = 5.8 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 33mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 52mΩ (VGS = 2.5V)

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16
power5000| | 2016-11-24 15:50 | 只看该作者
其实主要看你NMOS管的Vgs是多少?但是你做为电源开关用途(不知道功率需要多少,就是最大可通过电流多大),尽量提高你的Vgs。开漏上啦是个办法,但也只有4.2V.

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17
power5000| | 2016-11-24 15:52 | 只看该作者
本帖最后由 power5000 于 2016-11-24 15:55 编辑

MOS管作为开关管应用的特殊驱动电路;灌流电路
增加了充电限流电阻和放电二极管后,既保证了MOS管的安全,又保证了MOS管,“开”与“关”的迅速动作。

灌电流.jpg (35.05 KB )

灌电流.jpg

灌流电路.jpg (36.76 KB )

灌流电路.jpg

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18
baoren| | 2016-12-14 10:31 | 只看该作者
MOS管最好选用内阻小的,这样输出电压就比较接近输入电压

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19
Kowalski| | 2016-12-14 14:35 | 只看该作者
用P沟道管子就好了

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