说到BJT饱和，其实是个器件状态，这可以去查阅《半导体器件物理》，其内有详细描述（在此不表）。
这里，仅强调其基区的少子密度分布状态（具体查阅相关书籍）。由其分布状态的不同，确定了BJT的不同外化特性。提到了特性，自然就会考虑BJT的输入和输出特性，下面简单阐述一下：
首先看BJT的输出特性曲线（先只关心其中某一条），明显可见其可分三段——陡升、缓升（理想为横线）和再陡升，对应于术语“饱和”、“恒流”（放大）和“击穿”。注意，这时暂没有考虑输入（Vbe或Ib）的变化，只需输入固定在某一状态下即可。
对单一的一条输出特性曲线的这一描述是不够的，自然会想到如果改变输入其相应三段输出特性曲线会扫出三个什么样的区域图象来（这其实在任意一本模拟电子类书籍中都有描述）。在此，主要关心的是“饱和”和“恒流”这两段输出特性曲线的分界点的轨迹，一定范围内其基本符合Ic = Is(e^(Vce/VT)-1)（共射，注意Ic = Is(e^(Vbe/VT)-1)）和Vbc = 0（共基）。这其实和器件分析中的饱和条件Vce<Vbe一致。当然了，器件的外化特性本来就是由其内部原理所决定的。
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