请教一个半桥MOS栅极驱动的问题.

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 楼主| quzhanguang 发表于 2013-5-10 21:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
IR2104做栅极驱动  MOS管为两个IRF3205.

高边和低边的栅极电压波形如下


栅极电压出现一点过冲和震荡,主要问题是当低边MOS已经关断,
高边MOS开启时,低边MOS的漏极电压上升,由于栅极漏极之间也存在电容,低边的栅极也会被"带高"
这时发生短时间的共态导通.


我一直觉得是2104栅极驱动能力不够,但是问其他人制作的半桥则没有类似问题,很可能是我布线的问题,(比如栅极走线长,寄生电感大)。

请问下各位大神,有没有遇到过类似的问题,如何来解决的.
贴我的PCB截图




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 楼主| quzhanguang 发表于 2013-5-10 22:11 | 显示全部楼层
贴原理图

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gaoyang9992006 发表于 2013-5-10 22:19 | 显示全部楼层
貌似寄生电容搞的鬼
maychang 发表于 2013-5-10 22:24 | 显示全部楼层
减小R18看看。只要不产生寄生振荡,R18可以短路,包括R1。
 楼主| quzhanguang 发表于 2013-5-10 22:31 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2013-5-10 22:24
减小R18看看。只要不产生寄生振荡,R18可以短路,包括R1。

较小电阻只是增加导通和关断的速度。
实际上,上臂的电阻越小,导通时下臂的栅极电压被“带高”的越多。
maychang 发表于 2013-5-10 22:53 | 显示全部楼层
quzhanguang 发表于 2013-5-10 22:31
较小电阻只是增加导通和关断的速度。
实际上,上臂的电阻越小,导通时下臂的栅极电压被“带高”的越多。 ...

此事,存疑。
等待方家。
airwill 发表于 2013-5-11 12:43 | 显示全部楼层
当低边MOS已经关断, 高边MOS开启时,低边MOS的漏极电压上升,由于栅极漏极之间也存在电容,低边的栅极也会被"带高",这时发生短时间的共态导通.
这个可能性是有的, 合适选择栅极电阻是可以避免这个问题的.
其实更重要的因素是由负载引起的, 不知道楼主的半桥是驱动的什么负载?

 楼主| quzhanguang 发表于 2013-5-11 16:18 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2013-5-11 12:43
当低边MOS已经关断, 高边MOS开启时,低边MOS的漏极电压上升,由于栅极漏极之间也存在电容,低边的栅极也会被" ...

无负载的情况下就这样了。有电机做负载时其实差不多,多了些杂波。
 楼主| quzhanguang 发表于 2013-5-11 16:26 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2013-5-11 12:43
当低边MOS已经关断, 高边MOS开启时,低边MOS的漏极电压上升,由于栅极漏极之间也存在电容,低边的栅极也会被" ...

我的电源电压只有7V,如果别人的电源电压上百V,漏极电压上升更快,岂不是被带的更高。
gaohq 发表于 2013-5-11 16:37 | 显示全部楼层
加负压驱动
zhangmangui 发表于 2013-5-12 00:50 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2013-5-11 12:43
当低边MOS已经关断, 高边MOS开启时,低边MOS的漏极电压上升,由于栅极漏极之间也存在电容,低边的栅极也会被" ...

半桥是负责打开MOS管的  
zhangmangui 发表于 2013-5-12 00:50 | 显示全部楼层
quzhanguang 发表于 2013-5-10 22:11
贴原理图

到公司了给你上传一个我们公司用的  参考一下
 楼主| quzhanguang 发表于 2013-5-12 00:56 | 显示全部楼层
zhangmangui 发表于 2013-5-12 00:50
到公司了给你上传一个我们公司用的  参考一下

多谢了
airwill 发表于 2013-5-12 21:25 | 显示全部楼层
如果无负载, 那么这个波形可能是杂散电容和电感引起的
baiwenjian 发表于 2013-5-13 10:08 | 显示全部楼层
ligongxiaobie 发表于 2013-6-3 21:15 | 显示全部楼层
zhangmangui 发表于 2013-5-12 00:50
到公司了给你上传一个我们公司用的  参考一下

他那个芯片有自举 电压突增比较正常
不过前辈 我现在要设计7v供电的电机驱动 ,现在如果就用场效应管搭的H桥的话 我的栅极驱动选什么样的芯片好呢 最好是集成的 不用自己搭升压电路或者自举电路
ligongxiaobie 发表于 2013-6-3 21:17 | 显示全部楼层
记得IR2104建议供电是10到20V吧 你这7V有点低
ligongxiaobie 发表于 2013-6-3 21:17 | 显示全部楼层
quzhanguang 发表于 2013-5-12 00:56
多谢了

他那个芯片有自举 电压突增比较正常
不过前辈 我现在要设计7v供电的电机驱动 ,现在如果就用场效应管搭的H桥的话 我的栅极驱动选什么样的芯片好呢 最好是集成的 不用自己搭升压电路或者自举电路
zhangmangui 发表于 2013-6-3 21:32 | 显示全部楼层
ligongxiaobie 发表于 2013-6-3 21:15
他那个芯片有自举 电压突增比较正常
不过前辈 我现在要设计7v供电的电机驱动 ,现在如果就用场效应管搭的 ...

我们当时也用的这个型号的半桥驱动   关于波形出现的问题  无大碍   可以在桥的后面加些吸收电路 就可以啦   如RDC  或C
ligongxiaobie 发表于 2013-8-5 21:20 | 显示全部楼层
zhangmangui 发表于 2013-6-3 21:32
我们当时也用的这个型号的半桥驱动   关于波形出现的问题  无大碍   可以在桥的后面加些吸收电路 就可以 ...

想想的话他这个对电机这种感性负载出现这种波形比较正常
还有栅极那最好用二极管加强放电回路
我是初学者 看别人那么连过 版主不知我说的对不对
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