外置mos管升压电路IC发烫

登录 · 发表于 2013-5-14 12:39

使用TI的LM3429设计升压电路，输出恒流700ma，输入电压48v，输出66v左右，IC温度达到70度左右，mos管CAI采用FDB2552，有100度左右（加散热片），输出正常。第一次做升压设计，调试了好久也不清楚问题出在哪，电路参考TI设计软件，请各位指教一二。

发表于 2013-5-14 12:59

MOS管G极加限流电阻

发表于 2013-5-14 15:08

ansile 发表于 2013-5-14 12:59
MOS管G极加限流电阻

电压为6.3v，很低的了，再加电阻的话可能会有风险啊。

发表于 2013-5-14 16:21

1.选Vgsth低、Ciss低的MOSFET
2.设定频率，选低一点,在100K左右
3.后面的升压二极管是关键，反向恢复时间尽可能先小的

需要更多技术支持，请洽：彭工，18617089661，大联大为你竭诚服务。

发表于 2013-5-14 16:40

自己顶自己一下

发表于 2013-5-14 18:03

jarye 发表于 2013-5-14 15:08
电压为6.3v，很低的了，再加电阻的话可能会有风险啊。

已测试过，G级加电阻会使MOS管更加的发烫。

发表于 2013-5-15 10:09

jarye 发表于 2013-5-14 18:03
已测试过，G级加电阻会使MOS管更加的发烫。

测一下MOSFET的D极尖峰脉冲有多少伏，在看看Vds的参数值

发表于 2013-5-15 10:14

开关频率关键波形

发表于 2013-5-15 15:53

降低频率吧！…

登录 · 发表于 2013-5-16 11:01

本帖最后由 jarye 于 2013-5-16 11:03 编辑

Siderlee 发表于 2013-5-15 10:14
开关频率关键波形

MOS管G级波形如图所示，开关频率在460KHZ左右。

发表于 2013-5-16 12:03

1：Cout 33UF换成10UF加220UF两个电容
2：把电感值换成22UH或小于22UH
先试1步，不行再在1步的基础上做2步

发表于 2013-5-16 12:14

最新情况是mos管温度降下来了，但是IC的温度一直降不下来 Vin的电流13ma左右，没超过LM3429的20ma极限值。mos管漏极电压6.6v左右

发表于 2013-5-16 12:40

48V*13mA=0.624W，自己算算温度有多少
要降低两者温度的话，换个Qg低的MOS，温度马上下来，例如AOD478，估计温度能下降30度

发表于 2013-5-16 14:45

本帖最后由 jarye 于 2013-5-16 14:46 编辑

lyjian 发表于 2013-5-16 12:40
48V*13mA=0.624W，自己算算温度有多少
要降低两者温度的话，换个Qg低的MOS，温度马上下来，例如AOD478，估 ...

谢谢你的建议，我试试FDD120AN15A0看看效果怎么样，Qg(tot) = 11.2nC (Typ）,CISS=770pF (Typ).

发表于 2015-9-6 19:33

jarye 发表于 2013-5-16 14:45
谢谢你的建议，我试试FDD120AN15A0看看效果怎么样，Qg(tot) = 11.2nC (Typ）,CISS=770pF (Typ). ...

哥们，请问您换了mos管OK了没？

发表于 2015-9-6 19:42

这几天搞3429头晕脑胀，24V输入输出设定21V带7串24并3V的LED灯，输出恒流在1.4A，灯有时会闪，而且ic，mos，肖特基特别烫，求助各位大侠！[img][/img]

发表于 2015-9-6 19:44

上图，在线等。。。。。。

登录 · 发表于 2015-9-6 19:54

3429采用buck-boost电路24v输入21v输出带7串24并 LED灯3V/60mA，芯片、mos、肖特基特别烫，求助！！