商品货号：2N7002-TPMSCT-ND
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描述：MOSFET N-CH 115MA 60V SOT-23
单价（元）：2.52000
数据列表：2N7002 Datasheet
产品相片：SOT-23
产品培训模块：Diode Handling and Mounting
标准包装：1
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) ：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：115mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 25V
功率 - 最大值：200mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23
包装：剪切带 (CT)
产品目录页面：1627 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：2N7002-TPMSCT
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