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FET - 单 > 2N7002-TP参数一览

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qingx|  楼主 | 2013-5-20 14:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
商品货号:2N7002-TPMSCT-ND



描述:MOSFET N-CH 115MA 60V SOT-23
单价(元):2.52000
数据列表:2N7002 Datasheet
产品相片:SOT-23
产品培训模块:Diode Handling and Mounting
标准包装:1
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
FET 类型:        MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:        逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)        :60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):115mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
包装:剪切带 (CT)
产品目录页面:1627 (CN2011-ZH PDF)
其它名称:2N7002-TPMSCT
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