STM32驱动外扩sram

只看该作者 · 2013-5-22 12:07

  最近刚接触到sram，用的是256K*16bits的，芯片为ZET6，根据ST公司提供的关于FSMC的库文件，然后自己copy了一下，但是读出的数据和写进去的数据不一样，读出的数据比写进去的数据大了0x000c，由于是16位的数据，所以以字为最小单位，现在都不知道问题在哪里，希望各位根据自己的经验帮忙分下一下问题可能出在什么地方，板子我用万用表测了，没问题！
另外请教一下，sram是不是和eeprom寻址读数不太一样，并不是将其分为多少页，每页多少字节来操作的？！然后256K*16bits的sram需要18根地址线进行寻址，在STM32中，为什么不管数据多少位，FSMC_A[0]始终应该连到外部存储器的地址线A[0]？

FSMC的配置代码如下，基本上都是根据库提供的，希望大家帮我看下配置是否有问题，谢谢：
void FSMC_sram_Device_Init(void)
{
FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;                //定义结构体用来设置FSMC的相关信息
FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef       SRAM_TimingInitStructure;    //定义读写模式相关时间的初始化的结构体，可以通过STM32参考手册查得相关信息

SRAM_TimingInitStructure.FSMC_AddressSetupTime = 5;
  SRAM_TimingInitStructure.FSMC_AddressHoldTime = 5;
  SRAM_TimingInitStructure.FSMC_DataSetupTime = 2;
  SRAM_TimingInitStructure.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0;
  SRAM_TimingInitStructure.FSMC_CLKDivision = 0;
  SRAM_TimingInitStructure.FSMC_DataLatency = 0;
  SRAM_TimingInitStructure.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;

  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;

  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &SRAM_TimingInitStructure;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &SRAM_TimingInitStructure;

  FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);
  FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);
}

1万 · 2013-5-22 14:08

读出的数据和写进去的数据不一样，是常见的1种情况。
首先，可以把读写时序调慢，即FSMC_xxxTime 可以改为原来的2~10倍。
其次，应该用数字示波器来看控制线、地址线和数据线的波形

3万 · 2013-5-22 15:01

支持楼上。

只看该作者 · 2013-5-22 16:05

16位模式时，物理的A0是逻辑的A1。不知道LZ注意这个了么？

1万 · 2013-5-22 17:14

JD21IC 发表于 2013-5-22 16:05
16位模式时，物理的A0是逻辑的A1。不知道LZ注意这个了么？

引用4楼的话，同时回答LZ的问题“为什么不管数据多少位，FSMC_A[0]始终应该连到外部存储器的地址线A[0]？”
当你外面连着一块16位数据宽度的SRAM时，只需要在寄存器中FSMC_BCRx的MWID位域中进行设置，FSMC就会自动把内部的地址右移一位，因此从外部引脚来看，还是MCU的地址0接SRAM的地址0脚；千万不要自作多情的把MCU的地址1接到SRAM的地址0，而把MCU的地址0空在那里。

只看该作者 · 2013-5-22 19:07

楼主顶一个不错哦很好有时间需要好好看看

只看该作者 · 2013-5-22 22:40

香水城发表于 2013-5-22 17:14
引用4楼的话，同时回答LZ的问题“为什么不管数据多少位，FSMC_A[0]始终应该连到外部存储器的地址线A[0]？ ...

香水给力，这个懂了。但是问题好像没有得到解决！

只看该作者 · 2013-5-22 22:46

IJK 发表于 2013-5-22 14:08
读出的数据和写进去的数据不一样，是常见的1种情况。
首先，可以把读写时序调慢，即FSMC_xxxTime 可以改为 ...

谢谢你的回答，按照你说的方法我也试过了，但是结果是一样的，在读sram数据的时候，高8位没有任何问题，就是低8位存在这样的情况，我想这和NBL0有没有太大的关系，我没有用示波器去看控制端的信号，我还想问一下，你说的用示波器去看，是不是看数据写入和读出状态所要建立的时间？还是其他的？

只看该作者 · 2013-5-22 23:41

我调试的时候，

SRAM_TimingInitStructure.FSMC_AddressSetupTime = 5;
SRAM_TimingInitStructure.FSMC_AddressHoldTime = 5;
SRAM_TimingInitStructure.FSMC_DataSetupTime = 2;

这几个参数影响最大！

1万 · 2013-5-23 09:51

在读sram数据的时候，高8位没有任何问题，就是低8位存在这样的情况，这和NBL0应该有关系。
NBL0、1是低电平有效，只读低8位时仅NBL0输出低，只读高8位时仅NBL1输出低，同时读低和高8位时NBL0、1都输出低

只看该作者 · 2013-5-23 10:10

reille 发表于 2013-5-22 23:41
我调试的时候，

SRAM_TimingInitStructure.FSMC_AddressSetupTime = 5;

我之前一直觉得主频高了，然后就把分频系数改小了，同时把你说的这几个参数全部设为最大值，但是没有什么改变。

1万 · 2013-5-23 11:39

首先，例程拷贝过来要看一下是否符合自己的连接，比如你所连的SRAM访问模式是否是ModeA（FSMC_AccessMode_A），而不是Mode1？

其次，当读写数据不如预期，很有必要连上示波器看波形：数据低8位有问题么，就挂D0~D7，然后地址线挂个两三根，所有控制线都要挂。然后，分别做一次写16位数据的操作和读16位数据的操作，把波形贴上来看。

只看该作者 · 2013-5-23 14:58

香水城发表于 2013-5-23 11:39
首先，例程拷贝过来要看一下是否符合自己的连接，比如你所连的SRAM访问模式是否是ModeA（FSMC_AccessMode_A ...

这应该要逻辑分析仪方便了

1万 · 2013-5-23 20:19

还是版主给力不错需要顶一个

STM32驱动外扩sram

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