商品货号：FDS4435BZTR-ND
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描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
单价（元）：1.70088
数据列表：FDS4435BZ
产品相片：8-SOIC
产品变化通告：Mold Compound Change 12/Dec/2007
标准包装：2,500
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：PowerTrench®
FET 类型 ：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) ：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 8.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1845pF @ 15V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N
包装：带卷 (TR)
产品目录页面：1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：FDS4435BZTR
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