EMI如何做抑制设计，哪些元器件比较敏感?

发表于 2013-6-5 16:38

发表于 2013-6-6 09:12

EMI有差模和共模两种。
对于差模干扰，主要是用X电容抑制，通常在低频段（1MHz内）；对于共模干扰，主要用共模电感和Y电容抑制，通常在高频段。

发表于 2013-6-6 15:41

....

发表于 2013-6-6 15:51

电阻，电容，电感以及集成电路这四个方面？？？

发表于 2013-6-6 20:30

最近这方面的资料比较多呢。

发表于 2013-6-7 19:16

这一块的资料还是比较多的

发表于 2013-6-8 14:18

有没有时间的电路和测试比对图啊？

发表于 2013-6-14 12:25

谢谢各位网友的关注。

金升阳全球巡回研讨会有两个课题和此相关，大家如果方面可以就近选择参加我们的研讨会，与MORNSUN金升阳的工程师面对面沟通。

研讨会报名链接：传动网 http://www.chuandong.com/html/201304/jinsy/
您也可以直接给mornsun的账号发送需求，我们会及时反馈给您所在城市的时间安排。

发表于 2013-6-16 12:48

磁珠得需要吧。

[每日一问] EMI如何做抑制设计，哪些元器件比较敏感?

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