[每日一问] EMI如何做抑制设计,哪些元器件比较敏感?

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 楼主| mornsun 发表于 2013-6-5 16:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
EMI如何做抑制设计,哪些元器件比较敏感?
mornsunfae 发表于 2013-6-6 09:12 | 显示全部楼层
EMI有差模和共模两种。
对于差模干扰,主要是用X电容抑制,通常在低频段(1MHz内);对于共模干扰,主要用共模电感和Y电容抑制,通常在高频段。
JN天纳 发表于 2013-6-6 15:41 | 显示全部楼层
秤子 发表于 2013-6-6 15:51 | 显示全部楼层
电阻,电容,电感以及集成电路这四个方面???
hudi008 发表于 2013-6-6 20:30 | 显示全部楼层
最近这方面的资料比较多呢。
zeluo 发表于 2013-6-7 19:16 | 显示全部楼层
这一块的资料还是比较多的
源源来电 发表于 2013-6-8 14:18 | 显示全部楼层
有没有时间的电路和测试比对图啊?
Converterman 发表于 2013-6-14 12:25 | 显示全部楼层
谢谢各位网友的关注。

金升阳全球巡回研讨会有两个课题和此相关,大家如果方面可以就近选择参加我们的研讨会,与MORNSUN金升阳的工程师面对面沟通。

研讨会报名链接:传动网 http://www.chuandong.com/html/201304/jinsy/
您也可以直接给mornsun的账号发送需求,我们会及时反馈给您所在城市的时间安排。
1988020566 发表于 2013-6-16 12:48 | 显示全部楼层
磁珠得需要吧。
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