请教功率MOS管的密勒平台问题？

只看该作者 · 2013-6-12 08:40

下图中是功率MOS管的开通特性。
请教大家
(1)在t1~t2时间内，为何ID上升，但VSD却能保持不变呢，ID没有流经负载电阻吗？
(2)t2以后，为何ID就不再上升了，但VSD却又减小了，ID电流的路径又是怎样的呢？
(3)在开通过程中，CGD是先增大后减小的吗？相应的密勒效应是不是随着管子饱和而减小了呢？

问题比较多，还望大家多多指导。谢谢

1万 · 2013-6-12 16:01

这个图应该是有具体的测试条件的。

我根据我的理解猜着回答你一下：

1）这个时间段ID是因为从零到一个特定的初始值，需要在很快的时间内变化，也就是说didt很大，至于Vds没有变化，我也不是很理解，可能需要结合具体的应用条件；
2）ID的DIDT相对变小，看着跟平的一应，实际的电流应该是一个斜着上升的脉冲；另外任何的电路都有延时，具体你可以看详细的手册；
3）开通过程中，Cgd的变化应该不会太大，手册上有电容的等效值，你可以计算一下；米勒效应是电路结构上固有的一个过程，不会随着饱和而减小，下一个脉冲周期仍然会有
3）