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请教功率MOS管的密勒平台问题?

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ecook|  楼主 | 2013-6-12 08:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
下图中是功率MOS管的开通特性。
请教大家
(1)在t1~t2时间内,为何ID上升,但VSD却能保持不变呢,ID没有流经负载电阻吗?
(2)t2以后,为何ID就不再上升了,但VSD却又减小了,ID电流的路径又是怎样的呢?
(3)在开通过程中,CGD是先增大后减小的吗?相应的密勒效应是不是随着管子饱和而减小了呢?

问题比较多,还望大家多多指导。谢谢

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沙发
Siderlee| | 2013-6-12 16:01 | 只看该作者
这个图应该是有具体的测试条件的。

我根据我的理解猜着回答你一下:

1)这个时间段ID是因为从零到一个特定的初始值,需要在很快的时间内变化,也就是说didt很大,至于Vds没有变化,我也不是很理解,可能需要结合具体的应用条件;
2)ID的DIDT相对变小,看着跟平的一应,实际的电流应该是一个斜着上升的脉冲;另外任何的电路都有延时,具体你可以看详细的手册;
3)开通过程中,Cgd的变化应该不会太大,手册上有电容的等效值,你可以计算一下;米勒效应是电路结构上固有的一个过程,不会随着饱和而减小,下一个脉冲周期仍然会有
3)

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jjeemm77 2013-6-13 10:33 回复TA
MOS管没有饱和压降这个说法!好不好!…满足导通条件、它是“雪崩”状态!但有内阻!… 
板凳
Siderlee| | 2013-6-13 12:39 | 只看该作者
多谢  回头再学习一下去。。。

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地板
Siderlee| | 2013-6-13 14:42 | 只看该作者
学习

MOSFET教程.pdf

1.52 MB

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ecook|  楼主 | 2013-6-13 14:52 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2013-6-13 12:39
多谢  回头再学习一下去。。。

谢谢你。
不过你给的资料还是不能回答我提的三个问题。
我也再找找吧

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Siderlee| | 2013-6-13 17:23 | 只看该作者
这个。。。

MOSFET开关的动态过程分析.pdf

1.8 MB

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