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MOS管驱动问题

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楼主
forever1304|  楼主 | 2013-6-15 23:22 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, AC, BLDC, 芯片, dc
这个是BLDC三相桥臂的的其中一相，C相，有点疑问就是这里不用驱动芯片UC27424不行么。

直接单片机IO口推动不是更省事，不行么。为什么用这个芯片呢。

刚开始学用MOS管，在做BLDC遇到这个问题了。

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沙发
kanglijun123456| | 2013-6-17 08:46 | 只看该作者
楼主的使能都是置成有效，那你再看看如果换成IO口的话电平变化能不能满足MOS管的需求就OK了，毕竟mos管不是三极管。

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板凳
xcx_hust| | 2013-6-17 09:07 | 只看该作者
建议你看看27424内部的拓扑，就应该能明白个差不多

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地板
Siderlee| | 2013-6-17 09:21 | 只看该作者
不行

电平兼容，驱动能力等等。。。。

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5楼
forever1304|  楼主 | 2013-6-17 10:48 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2013-6-17 09:21
不行

电平兼容，驱动能力等等。。。。


我用3.3V的单片机应该是可以直接驱动得了的，这里用驱动IC，说是为了加快MOS管的开关速度。

我现在就是不理解，为什么用了这个驱动IC就能加快MOS管的开关速度呢。

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评论
windertakers 2013-6-17 13:18 回复TA
你查查什么叫驱动能力 
6楼
forever1304|  楼主 | 2013-6-17 10:51 | 只看该作者
本帖最后由 forever1304 于 2013-6-17 11:00 编辑

上管P管 IPD042P03L3_G_2_0.pdf (677.46 KB)
下管N管 irlr7843.pdf (205.64 KB)



根据下图的datasheet，下管N管IRLR7843当Vgs=2.3v不就可以使DS导通了么。
同样



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7楼
woshidasha| | 2013-6-18 10:47 | 只看该作者
这个问题我能解答，因为我也做了你这样类似的电路，而且我做的是驱动无刷电机的，48V300W。这时问题出现了。mosFET发热很快。为什么呢？因为，mosFET的栅极和漏极之间有一个寄生电容，还不小，大概几百P法。当你需要很高的频率的时候，mosFET栅极上的驱动电压的上升和下降时间就会增大。因此mosFET在关断的时候要给一个反向的电平，例如要关断的时候正常是0V关断，就要瞬间给一个-1V左右的电平使得moFET快速关断。不过像你这样的电路，就看不出什么区别了。

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