MOS管驱动问题

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 楼主| forever1304 发表于 2013-6-15 23:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
这个是BLDC三相桥臂的的其中一相,C相,有点疑问就是这里不用驱动芯片UC27424不行么。

直接单片机IO口推动不是更省事,不行么。为什么用这个芯片呢。

刚开始学用MOS管,在做BLDC遇到这个问题了。

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kanglijun123456 发表于 2013-6-17 08:46 | 显示全部楼层
楼主的使能都是置成有效,那你再看看如果换成IO口的话电平变化能不能满足MOS管的需求就OK了,毕竟mos管不是三极管。
xcx_hust 发表于 2013-6-17 09:07 | 显示全部楼层
建议你看看27424内部的拓扑,就应该能明白个差不多
Siderlee 发表于 2013-6-17 09:21 | 显示全部楼层
不行

电平兼容,驱动能力等等。。。。
 楼主| forever1304 发表于 2013-6-17 10:48 | 显示全部楼层
Siderlee 发表于 2013-6-17 09:21
不行

电平兼容,驱动能力等等。。。。


我用3.3V的单片机应该是可以直接驱动得了的,这里用驱动IC,说是为了加快MOS管的开关速度。

我现在就是不理解,为什么用了这个驱动IC就能加快MOS管的开关速度呢。

评论

你查查什么叫驱动能力  发表于 2013-6-17 13:18
 楼主| forever1304 发表于 2013-6-17 10:51 | 显示全部楼层
本帖最后由 forever1304 于 2013-6-17 11:00 编辑

上管P管
下管N管



根据下图的datasheet,下管N管IRLR7843当Vgs=2.3v不就可以使DS导通了么。
同样



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woshidasha 发表于 2013-6-18 10:47 | 显示全部楼层
这个问题我能解答,因为我也做了你这样类似的电路,而且我做的是驱动无刷电机的,48V300W。这时问题出现了。mosFET发热很快。为什么呢?因为,mosFET的栅极和漏极之间有一个寄生电容,还不小,大概几百P法。当你需要很高的频率的时候,mosFET栅极上的驱动电压的上升和下降时间就会增大。因此mosFET在关断的时候要给一个反向的电平,例如要关断的时候正常是0V关断,就要瞬间给一个-1V左右的电平使得moFET快速关断。不过像你这样的电路,就看不出什么区别了。
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