理想半导体无少子 pn结电子迁移时谁与多子扩散相平衡

3万 · 2013-7-3 16:23

内建电势将达到无穷大，而半导体器件将根本不能工作，反而由此可以制造一种新式武器，其威力足以战胜核武器。
呵呵！

3万 · 2013-7-3 16:25

“这样的简单问题都不会回答的人，根本不配在这里发言！”
那你再把此帖关掉，“仅作者本人可见”好了。

3万 · 2013-7-3 16:35

心底无私发表于 2013-7-3 15:45
1、热力学与电子学风马牛不相及，还是尽量不要往热力学扯。
2、实际上T=0K时少子就根本不存在了。所以少子 ...

“热力学与电子学风马牛不相及”
真能说，真敢说。知道热力学都是哪些内容吗？

只看该作者 · 2013-7-3 16:35

maychang 发表于 2013-7-3 16:25
“这样的简单问题都不会回答的人，根本不配在这里发言！”
那你再把此帖关掉，“仅作者本人可见”好了。 ...

许了用集电极曲线族计算最大摆幅，多少天了无动静。
来到这里，对正向导通二极管有没有、有多大的内电场都不知道如何回答，你这斑竹，真该好好地补课去了！

只看该作者 · 2013-7-3 16:38

心底无私发表于 2013-7-3 15:45
1、热力学与电子学风马牛不相及，还是尽量不要往热力学扯。
2、实际上T=0K时少子就根本不存在了。所以少子 ...

我表达有问题还是某人理解有问题。很明显，我是说，如果假设的东西是不可能发生的事情，那么这种假设得到的推论也没什么意义。正如绝对零度不能达到一样，绝对无少子的半导体也不存在。因此，拿这个做前提得到的结论也无意义。另外，我不认为现在所有的理论都是完美无缺的，事实上，科学正是在不断修改错误中前行的。至于那个问题，我也是靠电路吃饭，但我不觉得研究了你这个问题能对我的水平有多大的提高。

3万 · 2013-7-3 16:38

以下两个结论只能必居其一：
1. 由此可制造出比核武器更厉害的电子能武器；
2. 传统少子漂移与多子扩散相平衡的理论是错误的。

何以见得“必居其一”？
怎么就不可能两个命题都错呢？

3万 · 2013-7-3 16:46

3万 · 2013-7-3 16:47

“假设没有少子的半导体称为理想半导体”

呵呵！

3万 · 2013-7-3 17:36

心底无私发表于 2013-7-3 15:45
1、热力学与电子学风马牛不相及，还是尽量不要往热力学扯。
2、实际上T=0K时少子就根本不存在了。所以少子 ...

心底无私电子学与热力学难道关系很大吗？难道你就剩下咬文嚼字的本领了。一个大斑竹，真悲催呀！

童诗白《模拟电子技术基础》p15 热力学温度玻尔兹曼常数

康华光《电子技术基础》p65 热力学温度玻尔兹曼常数

“热力学温度”已经说明是热力学内容。
至于玻尔兹曼常数，估计心私不知道是什么

原来是“热力学的一个基本常量”，“具有相当重要的地位”。

3万 · 2013-7-3 17:40

心底无私发表于 2013-7-3 15:45
1、热力学与电子学风马牛不相及，还是尽量不要往热力学扯。
2、实际上T=0K时少子就根本不存在了。所以少子 ...

再教给心私一点：
载流子扩散，扩散方程和理想气体是一样的。

只看该作者 · 2013-7-3 20:23

回复maychang“载流子扩散，扩散方程和理想气体是一样的”maychang您真是无所不知，本友不才，您在此教本友实在是太屈才了！
您如此神通，何不先按照硅和锗告诉一个简单事实：自由pn结(二极管)内建电场的内建电势Uho各有多大？

只看该作者 · 2013-7-3 20:36

回复maychang “我如果在这里说，**又要说我歪楼。还是说热力学和PN结吧。发表于 2013-7-3 18:17 ”
这是楼主提出来的，谁敢说您歪楼！
1、maychang斑竹自己许了用集电极曲线族计算最大摆幅的愿，这都n天了，答案还不见踪影；
2、maychang斑竹还身背着自由pn结内建电场的内建电势Uho多大的包袱没有放下；
3、maychang斑竹还身背着正向导通pn结内建电场的内建电势Uho多大的包袱。
这些，都是最基础的问题。
maychang斑竹，基本功特扎实，这些最基础的问题，对maychang斑竹来说都是小菜一碟，加油！

3万 · 2013-7-3 20:41

心底无私是那个老抽抽筋了，说胡话。

只看该作者 · 2013-7-3 20:46

说得不错，都70岁的人了，真该玩点儿浅的。
maychang老，你就先把32楼的3条简单地不能再简单的问题的答案都摆在这里来，再去“显摆”别的

只看该作者 · 2013-7-3 21:07

一种理论是客观的，它不仅能用来解决本领域相关问题，解释本领域相关现象，而且能逐步量化。
一种理论是欠客观的，它不仅不能用来解决本领域相关问题，不能解释本领域相关现象，而且将永远停留在定性水平上。
少子漂移与多子扩散相平衡的理论，就是这样一种不客观的理论，它不仅不能用来解决maychang翘首以盼的自由pn结内建电场的内建电势Uho多大以及正向导通pn结内建电场的内建电势Uh多大等问题，而且据此可以推出一些悖论，当然它也不可能量化。

3万 · 2013-7-3 21:22

心底无私别的先不说。您的理论挺深的，何不先按照硅和锗阐明一个简单问题：自由pn结(二极管)内建电场的内建电势Uho各有多大？

还是先说本帖
以下两个结论只能必居其一：
1. 由此可制造出比核武器更厉害的电子能武器；
2. 传统少子漂移与多子扩散相平衡的理论是错误的。

“必居其一”是怎么证明出来的？
难道不可能两个命题都错？

只看该作者 · 2013-7-3 22:29

心底无私 “不认为现在所有的理论都是完美无缺的好的”，很好，进步不小嘞。那您再先按照硅和锗阐明：自由pn结(二极管)内建电场的内建电势Uho各有多大？

跟你交流真困难:Q

3万 · 2013-7-3 22:48

心底无私发表于 2013-7-3 20:23
回复maychang“载流子扩散，扩散方程和理想气体是一样的”maychang您真是无所不知，本友不才，您在此教本友 ...

倒是可以教你一点，可惜你基础不够，连玻尔兹曼常数都不知道，更不用说费米能级玻尔兹曼分布了。

试试看这本书，看得懂，算你造化。

内建电势在这页

只看该作者 · 2013-7-4 07:12

刘恩科先生的《半导体物理学》是用费米能级差抵偿势垒高度即内建电势的，这个势垒计算也是基于费米能级差抵偿势垒高度即内建电势相平衡，而不是基于少数载流子漂移抵偿多子扩散相平衡。这又一次说明，模拟电子技术及模拟电子学之类的书用少数载流子漂移抵偿多子扩散相平衡的理论是错误的。

这只是自由态下的Uho，况且也不是按照少数载流子漂移抵偿多子扩散相平衡的理论算出来的，正向导通时的Uh还没有见踪影呢？

所以maychang先生还是要按照你所钟情的少子平衡论来计算自由态下的势垒高度Uho，以免除叶公好龙之嫌疑，并且抓紧时间计算正向导通时的势垒高度Uh。

只看该作者 · 2013-7-4 09:53

路过提几个基本名词概念。

1）费米-狄拉克统计——电子是费米子，符合费米-狄拉克统计。注意，这是《量子统计》。

2）波尔兹曼统计——这是个经典统计，在此仅作为费米-狄拉克统计的近似。

3）费米能级——一个统计量，表怔固体内电子能量“平面”的统计高度（类比水面高度）。

4）扩散势能——扩散是由“势能差”导致的，这是费米能级差的另一种描述方式。

半导体的“原理”描述分成几个层次，基本三大类：1）《半导体器件物理》——严格按照物理原理且适当引入一定的近似计算，2）《电子学》——形象化描述且简化计算，3《模拟电路》——只见“模型”。

理想半导体无少子 pn结电子迁移时谁与多子扩散相平衡

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