理想半导体无少子 pn结电子迁移时谁与多子扩散相平衡

登录 · 发表于 2013-7-7 23:42

***得意的是“乙类饱和”理论。
现在模拟版面恰有这么一篇帖子，心私却说“这计算说起来容易，实际很难”。

https://bbs.21ic.com/icview-580464-1-2.html

登录 · 发表于 2013-7-8 00:52

在PN结中,P型区中的空穴是多子, 电子是少子.
截图中 "p区少子--空穴反向漂移到n区" 的说法是错误的."

发表于 2013-7-8 06:37

本帖最后由心底无私于 2013-7-8 08:36 编辑

mjc4404 发表于 2013-7-8 00:52
在PN结中,P型区中的空穴是多子, 电子是少子.
截图中 "p区少子--空穴反向漂移到n区" 的说法是错误的." ...

正确的理论能用来解决问题，谬论只能骗人，搅乱人们的思维，而不能解决任何问题。 "p区少子--电子反向漂移到n区" 的说法，以及少子漂移与多子扩散相平衡的说法，都是谬论。
所以自由结势垒Uho、正通结势垒Uh，很难用少子漂移与多子扩散相平衡的说法来计算。

登录 · 发表于 2013-7-8 08:24

本帖最后由 maychang 于 2013-7-8 08:49 编辑

发表于 2013-7-8 08:24

应该是：按照传统观点，待到n区到p区的多子——电子扩散运动与p区到n区的少子——电子漂移运动平衡时，pn结内电场正式形成。
电子不慎写成空穴，由此引起误会，抱歉，已经纠正。

登录 · 发表于 2013-7-8 09:38

很难说是“不慎”。
P是positive，即“正”，当然是空穴。
N是negative，即“负”，当然是电子。

除非连P、N是什么意思都不知道。

发表于 2013-7-8 09:48

谁人能与***争锋，一开口就是满地雌黄，一出手就是“新体系”，一动心就要颠覆经典:lol

发表于 2013-7-8 09:59

此帖就算心私“不慎”发的罢。不必继续谈论了。

登录 · 发表于 2013-7-8 10:47

2013.6.16发的帖子.

2013.7.3编辑之后还是老样子.

2013.7.8再次编辑.

这还让人怎么讨论呢.

建议论坛设定一个允许编辑的期限, 比如12小时或者24小时.
超过这个时限之后禁止编辑.

发表于 2013-7-8 11:47

各位，自由pn结势垒Uho、正通pn结Uh的数值悬而未决，是一个不争的事实。
学术自由，但不要叶公好龙。若有赞成目前的少子漂移与多子扩散平衡论形成pn结内电场观点的，就用少子漂移与多子扩散平衡理论来计算自由pn结势垒Uho和正通pn结Uh的数值，摆在这里来。

[技术讨论] 理想半导体无少子 pn结电子迁移时谁与多子扩散相平衡