求助高手们关于H桥老是烧管子问题

登录 · 发表于 2013-6-23 20:43

各位高手大神们，小弟最近遇到一个问题老是想不通。如图要搭全桥驱动电机，为预防上下桥臂短路导通，就先焊了一个桥臂测试。PWM1和PWM2 周期为40us。设置了死区时间（3us）.高端采用PMOS 4905，低端采用NMOS 2807.焊接如图所示，用示波器表笔测M+ 和A（即地），按理论设想的波形应该是幅值为28V的PWM。但上电后总是上端的10欧电阻着火烧掉，然后两个MOS管和两个驱动光耦全部坏掉。郁闷死了。大神们高手们帮帮忙吧！不胜感激。

登录 · 发表于 2013-6-24 09:19

发表于 2013-6-24 11:11

很好搞定和我联系

发表于 2013-6-24 20:28

jjjyufan 发表于 2013-6-24 09:19

谢谢您的回复。我的必须使用28V。但是考虑到4905的Vgs为正负20V的范围限制，所以您贴出来的图有点超出了Vgs的范围了

发表于 2013-6-24 20:29

ye201101 发表于 2013-6-24 11:11
很好搞定和我联系

望大神指点一二，多谢啦

发表于 2013-6-24 20:58

你第二个光耦一直导通了吧

发表于 2013-6-24 21:22

Regsen 发表于 2013-6-24 20:58
你第二个光耦一直导通了吧

你一句话似乎点醒我一点，就是当前级PWM波处在低的时候，光耦的输出状态为高电平还是低电平对吧？可是我未加28V的时候测过，输出同样占空比的PWM，只是幅值变高了。您是从什么考虑的呢？

发表于 2013-6-24 22:31

你要看一下10欧姆电阻出的波形幅度。光耦输出的电平幅度如果是15V的话，会导致PMOS一直导通。。这样就会烧坏。

发表于 2013-6-24 23:55

majipeng1986 发表于 2013-6-24 22:31
你要看一下10欧姆电阻出的波形幅度。光耦输出的电平幅度如果是15V的话，会导致PMOS一直导通。。这样就会烧 ...

谢谢您的解答。我看过10欧姆后的波形，高端为15V~28V的PWM波形。因为是PMOS，况且s端为28V，所以当高28V时，Vgs=0V 关断。当15V时，15V-28V=-13V PMOS导通。这样分析应该没问题吧？

发表于 2013-6-25 07:14

要是这样的话，你的分析没问题。你再看看Vgs，Vds是否在器件的极限范围内。再看看你后面是接了什么样的负载。

发表于 2013-6-25 07:25

另外你把PCB上来看看。是不是封装的问题。应该问题不大。。

发表于 2013-6-25 11:54

那个15V结点为什么不是14V呢？…它应该对28V来说：应该是一半呀！！…

发表于 2013-6-25 13:53

1、高速应用中，光耦驱动mosfet能力严重不足。
2、光耦导通与关断滞后相差很大，当驱动电流很大或光耦传输比很高可能高于一个数量级，你这个应用中又不得不用大电流驱动。
3、两个管子栅源之间都没有低阻释放回路，故在25K驱动频率下两个管子可能始终都处于导通状态。

结论：那3uS的死区是一个摆设、这是一个失败的方案。

发表于 2013-6-25 16:28

bald 发表于 2013-6-25 13:53
1、高速应用中，光耦驱动mosfet能力严重不足。
2、光耦导通与关断滞后相差很大，当驱动电流很大或光耦传输 ...

Agilent HCPL-3180 2 Amp Output
Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate
Drive Optocoupler

2 A minimum peak output current
250 KHz maximum switching
speed
High speed response: 200 ns max
这个是专用的光耦驱动mosfet芯片。应该不存在老师您所说的问题吧？

发表于 2013-6-25 17:31

楼主何不直接用个L298N驱动直流电机呢？

发表于 2013-6-26 00:14

majipeng1986 发表于 2013-6-25 07:25
另外你把PCB上来看看。是不是封装的问题。应该问题不大。。

恩，谢谢回复。因为只是前期做实验，所以只是自己焊的实验板，还没画板子呢。有高手提醒说是15V和28V没有同时建立（我是先给的15V，后给的28V），不知道这个会不会有影响呢？

发表于 2013-6-26 00:16

jjeemm77 发表于 2013-6-25 11:54
那个15V结点为什么不是14V呢？…它应该对28V来说：应该是一半呀！！…

谢谢回复。因为考虑到14V不容易得到，所以直接把15V拿过来用了。应该影响不大吧，减去28V都小于PMOS开通的阈值电压

发表于 2013-6-26 00:18

bald 发表于 2013-6-25 13:53
1、高速应用中，光耦驱动mosfet能力严重不足。
2、光耦导通与关断滞后相差很大，当驱动电流很大或光耦传输 ...

高手第三点说的很有道理。是不是应该在g 和s 端接一个100K（暂取）电阻用作回路？

发表于 2013-6-26 00:19

majipeng1986 发表于 2013-6-25 16:28
Agilent HCPL-3180 2 Amp Output
Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate
Drive Optocoupler

非常感谢majipeng1986专门查了资料回复。对的，作为专为驱动mos，这个光耦没问题的

发表于 2013-6-26 16:23

au529 发表于 2013-6-25 17:31
楼主何不直接用个L298N驱动直流电机呢？

不让选用驱动芯片，要分立元件自己搭，呜呜

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