STM8 内部eeprom操作的几个问题

只看该作者 · 2013-6-26 17:16

1.内部eeprom的读取时间是多少？比如 *p=(unsinged char*)0x4000, a=*p; 在执行a＝*p的需要多长时间，会不会比正常的RAM访问的执行时间慢呢？如果不会，是否有读取出错的情况（相信eeprom的读取时间应该会比RAM的读取时间要慢）？

2.STM8003F3的有没有RWW功能，说明书里面哪里可以确认？

3.没有RWW功能的写操作之后能够继续执行其他程序吗，还是等写完才能够执行其他指令。按字面理解，RWW好像是说写的时候还是可以读的意思，但是没有解释是否跟程序能否继续执行有关系。

路过的大侠如果有知道请不吝帮忙。
先谢谢了。

只看该作者 · 2013-6-26 20:18

帮楼主顶一个应该有高手能够帮忙

只看该作者 · 2013-6-27 17:08

谢谢楼上帮顶。没有人回答吗？自己再顶起来。

关于第3点没有RWW的功能的话，程序会停等eeprom写完，在family的datasheet，eeprom和flash的byte操作里面有提及。

另外一个新的问题：4. 在内部eeprom写操作的时候（如*p＝temp；p为eeprom地址）如果有RWW功能，程序继续执行，如果temp的值在eeprom还没有写完的情况下发生了变化，会有什么影响内，看编译后的汇编，好像没有其他寄存器当缓冲。假设temp＝＝5，在eeprom还没有结束的时候temp的值变为0xf7，写到eeprom的结果是多少呢？

1万 · 2013-6-27 18:56

问题解决了就好呵呵顶一个

只看该作者 · 2013-6-28 09:55

本帖最后由 sinside 于 2013-6-28 09:58 编辑

关于2，4点通过实测 (byte写操作)，如果测试方法没有问题的话，确定STM8S003F3有RWW功能，而且在写e过程改变赋值变量的值不会影响写入。即使是通过寄存器A的值改变也没有问题。

只看该作者 · 2020-8-11 09:41

问一下，阁下的问题解决了没有，有没有办法可以避开写EEPROM的同时，其他程序也可以继续执行，像中断。

1万 · 2020-8-11 16:05

对于STM8S芯片而言，读EEPROM跟读FLASH区是一样的。
当主频低于16MHz时，可以做到无等待读取操作。

对于对于STM8S芯片而言，程序在FLASH运行整体要快过在RAM里运行，因为访问FLASH的总线接口是32位，而RAM则是8位。

关于STM8S芯片的RWW功能，数据手册里都有明确。比如：Read while write: Writing in data memory possible while executing code in program
memory.

STM8S003芯片不支持 RWW. 对于不支持RWW功能的STM8芯片，在做FLASH/EEPROM擦/写操作时CPU是被堵塞的，不会响应中断，其它程序也不会运行。

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