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1.主要参数及特性 MOSFET是由电压控制型器件，输入栅极电压VG控制着漏极电流ID，即一定条件下，漏极电流ID取决于栅极电压VG。极限参数有：最大漏源电压VDS、最大栅源电压VGS、最大漏极电流ID，最大功耗PD。在使用中不能超过极限值，否则会损坏器件。主要电特性有：开启电压VGS(Th)；栅极电压为零时的IDSS电流；在一定的VGS条件下的导通电阻RDS(ON)。 2.基于开关电源IC3843驱动电路  HS70N06VGS一般3.1V就可以完全开启,也有很低的导通电阻RDS(ON),像3843这类内部带图腾柱驱动电路的IC一般都可以很轻松的驱动它.栅极电阻的选择范围也比较大,一般可以从几欧到几百欧.
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