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分立半导体产品 > FET - 单 > FDV303N
商品货号：FDV303NCT-ND
描述：MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
单价（元）：2.28000
数据列表：FDV303N
产品相片：SOT-23
产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告：Mold Compound Change 12/Dec/2007
标准包装：1
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) ：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：680mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 10V
功率 - 最大值：350mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23
包装：剪切带 (CT)
产品目录页面：1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：FDV303NCT
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