又遇到了MOSFET的抗雪崩击穿的问题,来请教下,看看是否能得到指点。
场景描述:MOS在电池负端起保护功能,当检测到短路负载时需要关断,并在短路后尝试恢复;
问题描述:短路尝试恢复后,MOS再次进入短路保护关闭状态的过程中,由于感性负载,MOS可能发生了雪崩击穿(可以请各位一起确认是否是雪崩击穿);
1.雪崩击穿的这个能量怎么根据电压电流波形计算;
2.如果MOS在此时烧毁(之前损坏过内阻参数较差的器件),是否看有可能瞬间结温过高导致,如果可能,那结温又该如何计算?
我的电路模型
短路尝试恢复过程的波形
MOS参数表:
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