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再问MOS的雪崩击穿评估

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fzp121|  楼主 | 2013-6-28 11:17 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
又遇到了MOSFET的抗雪崩击穿的问题,来请教下,看看是否能得到指点。
场景描述:MOS在电池负端起保护功能,当检测到短路负载时需要关断,并在短路后尝试恢复;
问题描述:短路尝试恢复后,MOS再次进入短路保护关闭状态的过程中,由于感性负载,MOS可能发生了雪崩击穿(可以请各位一起确认是否是雪崩击穿);
1.雪崩击穿的这个能量怎么根据电压电流波形计算;
2.如果MOS在此时烧毁(之前损坏过内阻参数较差的器件),是否看有可能瞬间结温过高导致,如果可能,那结温又该如何计算?

我的电路模型


短路尝试恢复过程的波形


MOS参数表:

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沙发
airwill| | 2013-6-28 12:22 | 只看该作者
雪崩击穿的这个能量, 功率管上的压降*电流*时间.
是否看有可能瞬间结温过高导致   根据热量和热阻去计算. 不知道热阻, 可以模拟测量一下.

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