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电容充放电测电阻 不准 请教

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iciciu|  楼主 | 2013-7-8 23:25 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
测电阻, 电容充放电, AC, 电压, 电平


测出来一个充放电波形：

这是10K充电电阻的波形。
发现充电电阻不一样，高电平的电压也不一样，充电电阻越小，高电平电压越大，充电电阻越大，高电平电压越小

请教大家，想不通这是为什么？？有做过的人吗？？、



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沙发
wangyy608| | 2013-7-9 08:48 | 只看该作者
可能是端口的设置有问题，有漏电

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板凳
yanwen217| | 2013-7-9 08:56 | 只看该作者
充电时间常数是R*C，电容固定，电阻变了，充电到同样的电平高度所用的时间就不同，这就是电容充放电测电阻的原理；故给的充电脉宽要够宽，或者说在被测电阻的范围内，充电后电容上的的电平要都能达到你系统所能识别的水平

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地板
lrhsx33| | 2013-7-9 10:35 | 只看该作者
不太明白为什么要加三极管？充放电测电阻可用RC测温度方式
IO1接参考电阻到电容，IO2接测试电阻到电容，电容接地。IO1或IO2测试电容为同一个，所以误差跟电容无关，只跟参考电阻有关。

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5楼
iciciu|  楼主 | 2013-7-9 13:37 | 只看该作者
wangyy608 发表于 2013-7-9 08:48
可能是端口的设置有问题，有漏电

充电的时候  C  口设置为输入，应该是高阻，这样也会漏电吗？？用的STM8

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6楼
iciciu|  楼主 | 2013-7-9 13:40 | 只看该作者
yanwen217 发表于 2013-7-9 08:56
充电时间常数是R*C，电容固定，电阻变了，充电到同样的电平高度所用的时间就不同，这就是电容充放电测电阻 ...

给充电脉冲确定很宽，就是充电过程达到系统所能识别的高电平时的电压 随着充电电阻的变化而变化，就这里不明白

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7楼
iciciu|  楼主 | 2013-7-9 13:40 | 只看该作者
lrhsx33 发表于 2013-7-9 10:35
不太明白为什么要加三极管？充放电测电阻可用RC测温度方式
IO1接参考电阻到电容，IO2接测试电阻到电容，电 ...

用三极管有个好处，就是布线的时候可以把这一块都放一起，
从而可以把数字线走得比较长

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8楼
mcu5i51| | 2013-7-12 11:28 | 只看该作者
这样用3极管不太好,不想去掉的话用PNP的吧;
充电电压和电阻有关,通常是电路中存在漏电现象,也不排除你的软件处理是跟不上,漏电的话包括电容C ,MCU的ＩＯ，甚至是你测试的示波器,所以最好是看测试结果定有没有问题;
这种电路要求有稳定电源,要不然会跳字,不稳定;
我用STM8S103P芯片 NTC50K
LCD 直驱,3-5V约30uA
LED 5V,范围-50+200,电阻箱测试0.2℃通过
芯片只要躲开那几个特殊的引脚就可以,不同太多怀疑

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9楼
lrhsx33| | 2013-7-16 16:20 | 只看该作者
iciciu 发表于 2013-7-9 13:40
用三极管有个好处，就是布线的时候可以把这一块都放一起，
从而可以把数字线走得比较长 ...

你这样增加三极管增加了很大的不确定性。
两个三极管不可能一样，加上三极管的非线性，应该比线长问题更坏，建议还是不要用。

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10楼
老鱼探戈| | 2013-7-16 23:53 | 只看该作者
即使电阻大小不同，充电电压也是一样的。 相同电容情况下，电容越大，充电时间越长。
你可以用不同电阻，直接给电容充电而不放点做测试。

出现上述情况是因为，IO口检测的高电平是有一个范围的，比如VDD=5V时，Vio>=3.6V认为是高电平。
由于充电时间很快，IO口不一定能在第一时间检测到(CPU还在跑其他程序)，所以出现微弱的差距。

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