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电容充放电测电阻 不准 请教

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iciciu|  楼主 | 2013-7-8 23:25 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式


测出来一个充放电波形:

这是10K充电电阻的波形。
发现充电电阻不一样,高电平的电压也不一样,充电电阻越小,高电平电压越大,充电电阻越大,高电平电压越小

请教大家,想不通这是为什么??有做过的人吗??、



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沙发
wangyy608| | 2013-7-9 08:48 | 只看该作者
可能是端口的设置有问题,有漏电

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板凳
yanwen217| | 2013-7-9 08:56 | 只看该作者
充电时间常数是R*C,电容固定,电阻变了,充电到同样的电平高度所用的时间就不同,这就是电容充放电测电阻的原理;故给的充电脉宽要够宽,或者说在被测电阻的范围内,充电后电容上的的电平要都能达到你系统所能识别的水平

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地板
lrhsx33| | 2013-7-9 10:35 | 只看该作者
不太明白为什么要加三极管?充放电测电阻可用RC测温度方式
IO1接参考电阻到电容,IO2接测试电阻到电容,电容接地。IO1或IO2测试电容为同一个,所以误差跟电容无关,只跟参考电阻有关。

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iciciu|  楼主 | 2013-7-9 13:37 | 只看该作者
wangyy608 发表于 2013-7-9 08:48
可能是端口的设置有问题,有漏电

充电的时候  C  口设置为输入,应该是高阻,这样也会漏电吗??用的STM8

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iciciu|  楼主 | 2013-7-9 13:40 | 只看该作者
yanwen217 发表于 2013-7-9 08:56
充电时间常数是R*C,电容固定,电阻变了,充电到同样的电平高度所用的时间就不同,这就是电容充放电测电阻 ...

给充电脉冲确定很宽,就是充电过程达到系统所能识别的高电平时的电压 随着充电电阻的变化而变化,就这里不明白

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7
iciciu|  楼主 | 2013-7-9 13:40 | 只看该作者
lrhsx33 发表于 2013-7-9 10:35
不太明白为什么要加三极管?充放电测电阻可用RC测温度方式
IO1接参考电阻到电容,IO2接测试电阻到电容,电 ...

用三极管有个好处,就是布线的时候可以把这一块都放一起,
从而可以把数字线走得比较长

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mcu5i51| | 2013-7-12 11:28 | 只看该作者
这样用3极管不太好,不想去掉的话用PNP的吧;
充电电压和电阻有关,通常是电路中存在漏电现象,也不排除你的软件处理是跟不上,漏电的话包括电容C ,MCU的IO,甚至是你测试的示波器,所以最好是看测试结果定有没有问题;
这种电路要求有稳定电源,要不然会跳字,不稳定;
我用STM8S103P芯片 NTC50K
LCD 直驱,3-5V约30uA
LED 5V,范围-50+200,电阻箱测试0.2℃通过
芯片只要躲开那几个特殊的引脚就可以,不同太多怀疑

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9
lrhsx33| | 2013-7-16 16:20 | 只看该作者
iciciu 发表于 2013-7-9 13:40
用三极管有个好处,就是布线的时候可以把这一块都放一起,
从而可以把数字线走得比较长 ...

你这样增加三极管增加了很大的不确定性。
两个三极管不可能一样,加上三极管的非线性,应该比线长问题更坏,建议还是不要用。

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老鱼探戈| | 2013-7-16 23:53 | 只看该作者
即使电阻大小不同,充电电压也是一样的。 相同电容情况下,电容越大,充电时间越长。
你可以用不同电阻,直接给电容充电而不放点做测试。

出现上述情况是因为,IO口检测的高电平是有一个范围的,比如VDD=5V时,Vio>=3.6V认为是高电平。
由于充电时间很快,IO口不一定能在第一时间检测到(CPU还在跑其他程序),所以出现微弱的差距。

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