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MOSFET做高速开关，这样电路可以吗？

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楼主
coolmat|  楼主 | 2013-7-13 14:41 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 电路, 高速开关, LED, 控制
周期1us的3.3V脉冲控制mosfet管，点亮led，这样的电路可以用吗？


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沙发
maychang| | 2013-7-13 16:21 | 只看该作者
可以。但要满足信号源是理想电压源的条件。
另外，R1将造成一些延迟。
LED是否有这么高的速度，存疑。

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outstanding| | 2013-7-13 17:29 | 只看该作者

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地板
coolmat|  楼主 | 2013-7-13 20:08 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-7-13 16:21
可以。但要满足信号源是理想电压源的条件。
另外，R1将造成一些延迟。
LED是否有这么高的速度，存疑。 ...

信号源是单片机lo
LED是红外
是否可以?

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5楼
maychang| | 2013-7-13 20:30 | 只看该作者
coolmat 发表于 2013-7-13 20:08
信号源是单片机lo
LED是红外
是否可以?

“信号源是单片机lo”
这个恐怕是不行，单片机没有那么大驱动能力。

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6楼
jilu1986| | 2013-7-13 20:33 | 只看该作者
没必要吧？人眼分辨频率是多少？

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7楼
garin223| | 2013-7-13 20:54 | 只看该作者
LED这么高的频率，肉眼无法辨别的。你是不是想用占空比调LED的亮度啊

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8楼
rockzone| | 2013-7-13 22:10 | 只看该作者
关注的重点应该是开关够不够速度，结果都去研究简单的led了

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9楼
lh_doremi| | 2013-7-13 22:23 | 只看该作者
1us  你想干啥

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10楼
yuankuo84| | 2013-7-13 22:42 | 只看该作者
楼主不是说了么LED是红外，应该是通信用的，速度这么高的还没有用过呢，

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11楼
wuzx-61| | 2013-7-13 22:58 | 只看该作者

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12楼
oldzhang| | 2013-7-13 23:19 | 只看该作者
驱动电压有些低，3.3v的高电平，一般MOSFET不能完全导通，除非导通电压低于3.3v的MOSFET

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评论
xmar 2013-7-14 07:21 回复TA
NDS335的Vgsth只有0.7V，因此Vg=3.3V时MOS管完全导通。 
13楼
lark100| | 2013-7-13 23:25 | 只看该作者
最终想实现什么功能呢?

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14楼
jilu1986| | 2013-7-14 04:35 | 只看该作者
查MOS规格书，如果驱动有一定要求的话就要上专门的驱动IC了

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15楼
woshixinshou| | 2013-7-14 05:26 | 只看该作者
查规格书，计算充电RC上升1us的电压结合开通延时，看看是否能达到。

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16楼
小财迷| | 2013-7-14 09:48 | 只看该作者
恐怕不行的，你看场效应管的数据手册

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17楼
lintek| | 2013-7-14 12:16 | 只看该作者
这样的电路不能用，MOSFET管栅极驱动电压要在4.5V以上，最好的驱动电压是12V，建宇楼主在信号源与栅极之间加一个MOS管的驱动电路或驱动芯片，驱动芯片有TC4426、27、28等等。

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18楼
maychang| | 2013-7-14 12:32 | 只看该作者
lintek 发表于 2013-7-14 12:16
这样的电路不能用，MOSFET管栅极驱动电压要在4.5V以上，最好的驱动电压是12V，建宇楼主在信号源与栅极之间 ...

你查查该管datasheet再说。
所有MOS管驱动电压都要在4.5V以上？所有MOS管“最好的驱动电压是12V”？

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19楼
无名蚂蚁| | 2013-7-14 13:24 | 只看该作者
速度的话，一般小功率MOS可以通过调节R1电阻来实现1us，大功率MOS的话，IO没这么强的驱动能力;另外LED反应能达到1us响应速度吗？

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20楼
shi123jia| | 2013-7-14 13:32 | 只看该作者
Mos管是通过静电电压控制通断的，要导通，就需要移入q的电荷，断开就需要移出q的电荷。你要求的周期是1us,假设电平从低电平到高电平的时间是周期的十分之一，即0。1us.电流就是q除以0。1us.应该是超过单片机允许的最大输出电流了

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