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关于MOSFET问几个问题

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maychang| | 2013-7-21 09:33 | 只看该作者
1、没有见过这么高开启电压的管子,也许是特殊型号。
2、EPROM保存数据可达10年。MOS管Gate断路保持导通状态的时间完全取决于Gate上电荷流失的速度,也就是取决于漏电大小。漏电大小主要由绝缘物以及封装表面清洁程度决定。

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一路乘枫|  楼主 | 2013-7-21 18:14 | 只看该作者
1,汽车上用的,据说10V是个标准。
2,Rdson的恢复时间不是等于Cgate放电时间吗,这个时间不是由时间常数(RxC)决定的吗,只是把Gate的电源断了,Rgate和Cgate都没有变,为什么要比充电时时间长那么多,充电似乎只要几个毫秒就可以了。
或者简化来说答案是
同一个带电电容,一端接地(接电源的另一端断开)和两端同时接地的放电速度会有很大的不同?

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一路乘枫|  楼主 | 2013-7-21 23:05 | 只看该作者
追问下,为什么这个等效电路可以解释,Mosfet适合在逻辑电路中而不是在模拟电路中使用?是不是原因是模拟电路的电流比数字电路大,导致功耗大?
谢谢啦

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Lgz2006| | 2013-7-22 07:47 | 只看该作者
先学电路电流,再学RC电路,然后再考虑是否进一步学MOS管子

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maychang| | 2013-7-22 08:51 | 只看该作者
一路乘枫 发表于 2013-7-21 18:14
1,汽车上用的,据说10V是个标准。
2,Rdson的恢复时间不是等于Cgate放电时间吗,这个时间不是由时间常数(R ...

按照你贴的图,开关断开后Cgate放电的电阻是无穷大而不是Rgate。
实际上当然不是无穷大,而是封装的绝缘电阻和表面电阻。

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一路乘枫 + 2 很给力!
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airwill| | 2013-7-22 12:26 | 只看该作者
Mosfet开启电压要达到10V?     **中还没有见到过这样的器件.  汽车上用,也没有10V 这个标准。

第二个问题很简单,  GS 结上的电压没有办法释放, 当然一直导通着. 所以我们在设计应用电路中, 必须考虑释放回路的问题.

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